干货分享丨常用Wafer晶圆处理工程工艺解释

张明 0 2024-03-14

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常用Wafer晶圆处理工程工艺解释

D．1 基本、共同用语

编号	用语（英文/中文）	用语说明
D1013	Carrier box 运载盒	指为要输送或保管晶圆之容器.在制造过程上务必保持晶圆不至受到容器排放瓦斯之污染,输送盒材质之鉴定至为重要.目前,输送盒以使用聚丙稀(polypropylene)树脂及聚碳酸脂(polycarbonate)的树脂为主.
D1014	Cluster tool 组合设备公具	指将不同装置厂家之设备或不同制程之结合,或能将半导体装置制造商独特之制造模块，加以装配之多加工室（multichamber）制造装置。是以美国半导体制造装置厂家为中心之团体MESA(Modular Equipment Standard Architecture)所提倡者。
D1015	Pre-purge	是指要使用热处理炉、反应室或瓦斯配管系统之前，将纯性瓦斯引进加以净化之操作。
D1016	Cost of ownership	是将半导体制造相关设备之投资，或将营运之经济性评价基准，以经营位皆加以模型化者。将制造装置之寿命周期成本（life cycle cost）,以装置价格、生产性、可靠性及成品率等加以考量，而算出每一晶圆良品成本之方法。
D1017	Magnetic coupled feedthrough 磁耦合旋转馈通	是指利用N极S极之磁性结合力，将外旋转驱动力传达到真空气氛内之旋转机构。是一种非接触旋转，因多半在真空与大气间隔着一道墙壁之构造，其真空密封寿命为无限大，对超高真空性能之维持很有效。
D1018	Magnetic levitation transfer 磁悬浮输送	是指利用磁性反斥力之非接触性输送机构。是由控制磁悬浮之控制电磁铁、线性马达及悬浮体等所构成，例如遮光罩或晶圆等之基片搭载在悬浮体上来移动。在真空中使用时，因属非接触，无振动、无润滑油及全然不产生灰尘，具有可获得洁净真空等大特点。
D1019	Robot for using in vacuum 真空机械人	是指在真空室内，为要移送基板单体所使用输送机构之总称。为防止例如遮光罩，晶圆等基板受到微粒之污染，采用振动部极低之机构。就其功能而言，一般具有直进、旋转、上下移动等功能。
D1020	Throughput 生产量，工作数	是单位时间内所能处理之遮光罩或晶圆等基板之工作数量。
D1021	Slow vent 缓慢通气	是指将真空装置之真空槽，恢复到大气压之过程中，经由调节电导阀，可以很小之导入速度缓慢加以通气。其目的在于防止微粒飞扬。
D1021	Soft vent 软性通气	是指将真空装置之真空槽，恢复到大气压之过程中，经由调节电导阀，可以很小之导入速度缓慢加以通气。其目的在于防止微粒飞扬。
D1013	Carrier box 运载盒	指为要输送或保管晶圆之容器.在制造过程上务必保持晶圆不至受到容器排放瓦斯之污染,输送盒材质之鉴定至为重要.目前,输送盒以使用聚丙稀(polypropylene)树脂及聚碳酸脂(polycarbonate)的树脂为主.

D1014	Cluster tool 组合设备公具	指将不同装置厂家之设备或不同制程之结合,或能将半导体装置制造商独特之制造模块，加以装配之多加工室（multichamber）制造装置。是以美国半导体制造装置厂家为中心之团体MESA(Modular Equipment Standard Architecture)所提倡者。
D1015	Pre-purge	是指要使用热处理炉、反应室或瓦斯配管系统之前，将纯性瓦斯引进加以净化之操作。
D1016	Cost of ownership	是将半导体制造相关设备之投资，或将营运之经济性评价基准，以经营位皆加以模型化者。将制造装置之寿命周期成本（life cycle cost）,以装置价格、生产性、可靠性及成品率等加以考量，而算出每一晶圆良品成本之方法。
D1017	Magnetic coupled feedthrough 磁耦合旋转馈通	是指利用N极S极之磁性结合力，将外旋转驱动力传达到真空气氛内之旋转机构。是一种非接触旋转，因多半在真空与大气间隔着一道墙壁之构造，其真空密封寿命为无限大，对超高真空性能之维持很有效。
D1018	Magnetic levitation transfer 磁悬浮输送	是指利用磁性反斥力之非接触性输送机构。是由控制磁悬浮之控制电磁铁、线性马达及悬浮体等所构成，例如遮光罩或晶圆等之基片搭载在悬浮体上来移动。在真空中使用时，因属非接触，无振动、无润滑油及全然不产生灰尘，具有可获得洁净真空等大特点。
D1019	Robot for using in vacuum 真空机械人	是指在真空室内，为要移送基板单体所使用输送机构之总称。为防止例如遮光罩，晶圆等基板受到微粒之污染，采用振动部极低之机构。就其功能而言，一般具有直进、旋转、上下移动等功能。
D1020	Throughput 生产量，工作数	是单位时间内所能处理之遮光罩或晶圆等基板之工作数量。
D1021	Slow vent 缓慢通气	是指将真空装置之真空槽，恢复到大气压之过程中，经由调节电导阀，可以很小之导入速度缓慢加以通气。其目的在于防止微粒飞扬。
D1021	Soft vent 软性通气	是指将真空装置之真空槽，恢复到大气压之过程中，经由调节电导阀，可以很小之导入速度缓慢加以通气。其目的在于防止微粒飞扬。

编号	用语（英文/中文）	用语说明
D1022	Slow pumping/slow roughing 缓慢排气	是指将真空装置从大气压开始真空排气过程中，经由调节电导阀以很小之排气速度缓慢加以排气。其目的在于防止微粒飞扬。类似之用语有软性排气（soft roughing）。
D1022	Soft roughmg 软性排气
D1023	Electrostatic chuck 静电夹头，静电夹盘	是在载物台上设立介电层，对载物台与晶圆间施加电压，经由发生在两者间之库伦力，将晶圆加以吸住之机构。为要保持晶圆及温度控制，可以在载物台或输送系统等。
D1024	Sender 发送机	是指将收纳处理前之遮光罩或晶圆等基板之匣盒，加以搭载并将基板输送至处理装置之机构。
D1025	Soak time 热炼时间	系指将退火装置或真空蒸镀装置之加热对象物，以不致蒸发之温度加以维持之时间。就退火而言，指维持所希望时间，就真空蒸镀法而言，指预备加热温升排气之时间。
D1026	Soft landing 软性着陆	旨在横型之热氧化装置，热扩散装置及热CVD装置，将搭载晶元之晶舟，输入或输出制成反应管之际，不至于接触管内壁，具有可抑制产生微粒功能之搬运装置。
D1027	Turbo molecular pump 涡轮式分子泵	指具有汽涡轮机形之叶片，经由高速旋转之转子，将与其叶片表面碰撞气体分子给与运动量，以输送气体之运动量输送式真空泵。可在分子流领域有动作。
D1028	Dummy wafer 仿真晶元，虚设晶圆	指当装置在试运转中，分批处理晶圆时为要凑齐片数，或为承载效应等对策所使用，指实际没有形成IC图案的晶圆.
D1029	Chip ?die 芯片/ 小芯片	指将用来制作无源（被动）组件、有源（主动）组件，或被制成集成电路为前提之半导体或绝缘物细片。有时亦可称为（片状器件）。请参阅cf. JIS.请参阅图E-1002.
D1030	Turn-around-time 一贯制程所需时间	指将工件之完成产品所需要之时间。如何将产品提早完成，Q-TAT(QUICK TAT)
D1031	Dry vacuum pump 干式真空泵	指作为涡轮式分子泵或低温泵(cryopump)(oil free)指出加工，系瓦斯通路不会混入油分之不沾油泵。通常可从大气压减压至10^-3Pa
D1032	Batch processing 分批处理	系指每次可见多数片晶圆加以处理之方式。
D1033	Buffer 缓衡容器	系指可在装置内暂时收纳遮光罩或晶圆等基板之单元。通常可分为使用载运闸盒，或使用专用治具者。基板之进出有先进先出(FIFO)，有后进先出(LIFO)之2种方式。
D1034	Foot print 脚印	系指将装置设置在平面时，从正上方加以投影之总设置面积。

编号	用语（英文/中文）	用语说明
D1035	Process induced particle counter 制程感应粒子计数器	系指具有严格之试料气体防漏机构，将试料流通路内鼻子残留杂质彻底加以除去之光散射式粒子计数器。系用来监视半导体组件制造原料瓦斯，CVD或注入粒子装置等减压槽中之浮游粒子数。
D1036	Beltless transfer system 无带式输送系统	是指将遮光罩或晶圆等基板背面，以诸如真空机械人或磁浮等非用直接输送带之基板输送机构之总称。以采用橡皮输送带或金属性弹性带之输送，无法防止来自输送带材质之污染，因此今后均以无带式输送主流。
D1037	Single wafer processing 单晶圆处理方式	是指将晶圆一片一片加以处理之方式。
D1038	Multi-chamber vacuum system 多式真空系统	是指关于布线工程、薄膜形成工程等，经由将各个不同制程适当加以搭配在一起，且在一贯之气氛下加以处理，为提升制程之总功能为目的，所构成之多室真空装置。此一真空装置有以输送室为中心，在其周围将制程室配制成放射状型。以及以输送室为中央，而将制程室配置在两侧之线形型等两种。
D1039	Mechanical chuck 机械式夹头	是指利用机械爪具或环形吸盘等，将晶圆外周部加以机械式保持、安装之机构。
D1040	Receiver 接受匣盒	是指搭载处理后之遮光罩，晶圆等基板之收纳匣盒，及将基板由处理装置取出之机构。
D1041	Recipe 处理程序	是指为要进行晶圆制程之处理控制，对制程装置之制程次序，及控制参数（温度，压力，瓦斯之种类及流量，时间等控制目标值）等相关装置个别之处理程序。
D1042	Loader 装载机、装料机	指将加工对象（work）放置与所定位置或安装之机构。
D1043	load-lock chamber 加载互琐真空室	是不得将处理室暴露于大气中，可进行晶圆之装入与取出为目的之真空室。在处理室之前后或任一方配置一个阀，经由阀与真空排气系统动作之搭配，可以经常保持处理室在真空状态。
D1044	rapid thermal process 快速热处理	是有关热处理，为提升产量（throughput）等目的，将温度作快速上升或下降等操作或制程。
D1045	in-situ 就地，在现场，自然（环境）	以往都将起当作另外制程进行之处理，却将其编入其它制程内，诸如：in-situ cleaning,in-situ doping,及in-situ monitoring 可分别当作就地清洁，自然（环境）掺杂，及现场监视等使用。
D1046	Open cassette 开放式晶圆匣	是属于可收纳晶圆而在装置间搬运之容器，由可支持晶圆之部位，与搬运时将容器本体加以把持之部位，以及由此等支持体所组成，其晶圆收纳部成为开放状态之晶圆搬运容器。

编号	用语（英文/中文）	用语说明
D1047	Kinematic coupling 运动举上之耦合	在载物台上配置有位于三角形顶点之三个凸状，且具有3次元曲面之突出头，在各个突出头套上设在被载物体之3个颠倒V字形之嵌合罩，是用来进行位置决定之机构。被使用作300mm之晶圆搬运机（wafer carrier）。具有较大之调准范围与经由自动求心之较高位置决定精确度为其特点。
D1048	Swift start up system 快速启动系统	关于半导体等生产启动，从初期阶段起同时将各装置加以设置，边决定制程条件，边快速提高到全能生产时能力之快速生产启动方法。
D1049	Thermal budget 热预算	系指在制程中，晶圆所受到的总热量。是温度及暴露于该温度全时间的函数。
D1050	PID temperature control PID温度控制	是典型制程温度控制方式之一种。使用P为比例，1为积分，D为微分等3种基本演算，将目标值与现有值间的差值变换成控制量者。针对PID各参数变更，可较为容易地预测其控制特性的变化。
D1051	Pod密闭夹式容器	为达成高度局部洁净化需要，且降低洁净室的营运成本为目的，是用作保存及输送如晶圆等被处理体密闭容器的总称。经由以下主要构成要素的选择，可以考量有如下四种组合，容器内部可保持晶圆的匣盒部分，与容器为一体构造，（即匣盒部分为可拆开式或无法拆开式）。其开口部位在前面或底面者。
D1052	Process integration 加工整合，整合处理	当靠量抑制加工研发的投资结果，在半导体制造装置内，以一定的条件或环境下，将多项加工连续反复加以处理，在同一晶圆上重复加工，可以提升合格率或生产效率的技术。列如可以列举以in-situ将蚀刻或溅射等，施加一连串的处理，且加以回收之多室装置等。

D．2 薄膜形成用语

编号

用语（英文/中文）

用语说明

D2001

Thin film deposition system

薄膜沉积系统

是指有关半导体制造工程，可形成绝缘膜，电极布线膜，及半导体膜之装置总称。有关薄膜之形成原理可大略分成真空蒸镀装置，溅镀(sputtering)系统等PVD (physical Vapor Deposition)系统,CVD(Chemical Vapor Deposition)系统，及磊晶（epitaxial）生长系统。

编号	用语（英文/中文）	用语说明
D2002	Injector 注入器 nozzle 喷嘴	系指诸如CVD系统，磊晶生长系统等反映室内，注入瓦斯之喷出部。也可称为喷嘴。
D2003	Wafer heating mechanism 晶圆加热机构	系指为加热晶圆所护套加热器，红外线灯加热器等的总称。随着晶圆之大口径化，需要面内有均匀加热性能，进年来在发热体与晶圆背面间，使用He 或Ar等瓦斯作为热媒体，此一媒体加热已成为重要技术。
D2004	Spin on glass coating SOG涂敷 SOG涂布	是指为要层间绝缘膜或平坦化，所使用涂敷有SOG（spin–on-glass）膜之敷层。此一敷层使用将SiOx溶解于酒精俗称调味料之药液。敷层后进行硬化烘焙（400-700℃）使溶剂挥发。因药液之粘度很高，有使用喷嘴洗涤及帽套洗涤机构之必要。
D2005	Overhang 突出部分，悬垂物	是指有关组件之穿孔（through hole）等，其段差部之纵横比（aspect ratio）较大时，上部段差部角较下部底面之膜厚为大，形成如同雨檐突出部分之膜。
D2006	Shutter 快门光匣	是指位在薄膜形成装置之蒸发源与晶圆间，所设置之遮断板。薄膜形成中为打开。
D2007	Step coverage 阶跃式覆盖率	是指位在LSI等半导体组件薄膜表面上，有微细段差部之膜覆盖状态。因有段差部之覆盖状态，直接影响到布线之不正常断线，成为产品合格率，品质下降之原因。
D2008	Planarization 平坦化	是指随着布线之多层化，可以将纵向构造之段差凹凸情况，加以缓和之技术。就绝缘膜之平坦化法而言，有镀膜（coating）法，偏溅射（bias sputtering）法，平坦化热处理（reflow）法、背面蚀刻（etch back）法，及剥离（lift off）法。就金属膜之平坦化法而言，有偏溅射法、CVD选择生长法等。对于CMP法所能获得跨于晶圆全面之平坦化，特别称为全面平坦化。
D2009	Void 空隙，空洞	当将晶圆加热时铝等金属膜构造将产生变化。此时，将有压缩应力作用于布线材料膜，为缓和此一应力过程，将在表面上产生突起之结晶粒，在温度下降之过程为要缓和张力，而在结晶粒界所产生之空隙。
D2010	Polyimide coating 聚酸亚胺涂敷	是指为要形成保护膜、层间绝缘膜，所加以之涂敷聚酸亚胺膜。因聚酸亚胺粘性很高（1000-2000cp）使用挥发性较低溶剂NMP（N-methy1 pydolidon）。涂敷后，为溶剂之挥发而在400℃中进行硬化烘焙。
编号	用语（英文/中文）	用语说明
D2011	Mouse hole 老鼠洞	是指在组件图案之段差部形成薄膜之际，由于侧壁与平面间之膜质之不同，往后在蚀刻制程中由部分系在高速蚀刻下进行，而产生蛀虫状之洞穴。
D2012	Reflow 圆滑热处理，平坦化热处理技术	是指随着LSI组件之积体化，为缓和较复杂之段差纵向构造，经由高温热处理谋求平坦化为目的，所使用之技术。将含有磷8-12%（重量百分比）之PSG膜，以CVD法加以沉积，经由大约1000℃之高温热处理，利用PSG之流动性将晶圆表面加以平坦化。为降低玻璃之软化点，亦利用对PSG膜掺入硼杂质之BPSG膜。注：PSG（phrase structure grammer）文句构造文法。
D2013	Wafer cooling stage 晶圆冷却夹片台	是指将编排在半导体制造装置内之高温晶圆，加以冷却之夹片台。亦称为冷却站（cooling station），氧化、退火装置或抗蚀刻处理装置，亦有此一设备。
D2014	Ferroelectric thin film 铁电薄膜强诱电体薄膜	是指使用与电容器的PAT1、、、、BST2、SBT3等强电介体薄膜。是由MOCVD法，溶液汽化CVD法，溅射法，solgel法及涂敷法等所形成。注：1：pbxZr1 – xTiO3; 2 : BaxSr1 – xTiO3; 3 : SrBi2Ta2O9 .
D2015	Plasma trap 离子喷镀系统	是指在CVD装置，为要保护真空泵等，利用等离子体去除所反应副生物的装置。

2．1 真空蒸镀装置用语

编号	用语（英文/中文）	用语说明
D2101	Vacuum evaporation system 真空蒸镀系统真空蒸着装置	是指在低于10^-2 Pa压力的真空装置内放置蒸发源，并在其周围放置晶圆，经由加热蒸发源使材料（金属或某种化合物），在真空中将晶圆加以蒸镀的装置，蒸发源原子（或分子）由蒸发源汽化直接在晶圆基板上沉积凝积。
D2102	Resistance heating evaporation 电阻加热真空蒸镀系统抵抗加热真空蒸着装置	此一装置可以分类成以W,Ta,,Mo等高熔点金属，所制成加热器或BN等复合材料加以通电，使蒸发材料直接加热蒸发的直接加热式装置，以及由坩埚与发热体所构成的间接加热式装置等2种。此一系统的真空蒸镀装置中，构造最简单具备有能量上最稳定状态的特点。
D2103	Electron beam evaporation system 电子束蒸镀系统	系指将电子束照射于蒸发材料使其加热,有利用其蒸发击力来蒸镀之装置。就此一方法而言，坩埚因置于水中冷却，坩埚材料中之杂质，混入蒸镀膜之可能性较小，此法亦使用于高融点物质，半导体或氧化物之蒸镀。
编号	用语（英文/中文）	用语说明
D2104	Induction heating evaporation system 感应加热蒸镀系统高周波诱导加热真空蒸着装置	系指利用蒸发材料本身所感应之高频电流，作为加热源之真空蒸镀装置。此一方法仅对电感应材料有效，而不能适用于绝缘体。此法可利用于不受荷电粒子损伤之蒸镀装置。
D2105	Ion plating system 离子喷镀系统	系指将晶圆置于阴极侧，产生辉光放电，从蒸发源将蒸发原子加以电离化或激励，加速后撞击在基板上，且加以堆积之真空蒸镀装置。经由此法可以获得密接性很强之被膜。具有可得膜质很优良之化合物被膜等特点。
D2106	Ionized cluster beam evaporation System 成团离子线束蒸镀系统	系指在高真空中，将102 ～103个原子聚集成团加以电离化，且加速撞击堆积在晶圆上之装置。以成团蒸发源作为蒸发源，且将蒸汽容器之蒸汽出口做成小喷嘴，促使容器内外压力差很大以便喷出。此时，蒸汽在断热膨胀之过程下形成一团一团。成团之电离化，系利用热电子放射灯丝与阳极，经由电子撞击来进行。
D2107	Deposition rate 蒸镀速率	系指每单位时间内，在晶圆上生成之膜厚。就真空蒸镀法而言，称为蒸镀速率，就溅射法而言，称为溅束镀速率，就CVD法而言，可称为沉积速率。
D2108	Evaporation source 蒸发源	系指有关真空蒸镀法中，将作为膜材料之蒸发材料，加以蒸发之加热源。此一蒸发源以电阻加热蒸发源，电子束蒸发源，感应加热蒸发源为代表。
D2109	Evaporation material 蒸发材料	系指经由蒸发源加热使之蒸发，所称为膜之物质。
D2110	Rotary and revolutionary jig 自转公转夹具	系指有关蒸镀装置, 所使用晶圆固定夹具之一种.针对蒸发源配置多数个(通常为3个) 圆顶状晶圆固定夹具, 在蒸镀中, 因可进行各圆顶夹具之自转与公转, 可得跨于广大面积厚度均一之膜, 同时阶跃式覆盖范围具佳.。
D2111	Dome jig 圆顶夹具	系指内侧能保持多数晶圆之圆顶状晶圆固定器。在其中心轴设置蒸发源，且经由将圆顶加以公转，可同时对多数之晶圆附着钧一之膜。
D2112	Thickness control 膜厚控制	系在成膜制程中，经由厚膜计（水晶振荡式，原子吸光式及光学式等）来监控膜及蒸镀速度，使能成为所定膜厚，或保持一定之蒸镀速度等控制。
D2113	Laser ablation 镭射烧蚀	系利用高密度之光子照射，切断蒸发材料表面之化学结合，使其蒸发而形成薄膜者。

2．2 溅镀装置用语

编号	用语（英文/中文）	用语说明
D2201	Sputtering system 溅镀系统	在真空中引进放电用瓦斯，若对电极间施加电压，将产生辉光放电。此时等离子体(plasma)中之正离子撞袭到阴极之靶表面，而将靶原子掏出来。系指利用此一溅射现象，在晶圆上形成薄膜之成膜装置。放电瓦斯使用氩气（Ar）。
D2202	Diode sputtering system 二极管溅镀系统	系指具有由一对阴极与阳极所成之2极冷阴极辉光放电管构造之溅镀装置。阴极相当于靶子，而阳极兼作基板固定器之功能。产生辉光放电后，等离子体中之氩正离子撞击到靶子表面，将靶原子掏出来，而将设置在阳极之晶圆上，形成薄膜。
D2203	DC diode sputtering system 直流二极管溅镀系统	系指具有由一对阴极与阳极所成之2极冷阴极辉光放电管构造，在电极间施加直流电压，使产生辉光放电，在此系指利用位在阴极上靶子之溅射现象，来进行形成薄膜之溅镀装置。靶子材料只限于导电体。
D2204	RF diode sptuttering system 高频二极管溅镀系统	指具有一对阴极与阳极所成之2极冷阴极辉光放电管构造，电极间主要施加13.56MHz之高频电压，使之产生辉光放电，而利用位在阴极靶子表面溅射现象，来进行形成薄膜之溅镀装置。离子产生效率交直流2极方式为优。除了金属、半导体外，当然亦可使用于绝缘体，因而被广泛使用。
D2205	Magnetron sputtering system 直接电磁场型溅镀系统	在溅射法中，是指施加于阴极之电场与成直交之磁场搭配所构成装置之总称。电子受磁场之作用开始作摆线运动（trochoidal motion）,因要推进很长之距离，而与瓦斯分子间之碰撞频度大增，克维持高离子电流密度放电，因此可作到高速溅镀。
D2206	Magnetron sputtering system 磁控管溅镀系统	是指经由磁控管原理施加交叉之点磁场，使从阴极产生之电子进行摆线运动，在靶子表面形成高密度等离子体，可以较低电压来提高溅镀速度之高功率效率溅镀装置。从与潘宁（Penning）冷阴极放电同一原理，来进行产生离子潘宁磁控应用，而称为磁控管溅射法。
D2207	Planar magnetron sputtering system 平面磁控管溅镀系统	是指磁力线由平板状靶子之背面出来，再回到靶子侧之构造，具有此一阴极构造之磁控管型溅镀装置。磁场在靶上成为环形（race track）状构造，电子一旦进入该空间就被封闭在内无法跑出来。
D2208	Coaxial magnetron sputtering system 同轴磁控管溅镀系统	是指阴极与阳极具有同轴圆筒状构造之磁控管型溅镀装置。在中心圆筒状之靶子内部，收纳有多数个圆筒状磁铁，经由在靶子表面产生平行之磁场，可维持磁控管放电。亦有将阴极与阳极相反配置之反向同轴磁控管溅射方式。
编号	用语（英文/中文）	用语说明
D2209	Sputter-gun sputtering system 溅射枪溅镀系统	是针对具有圆锥台状之靶子，在其背后配置磁通路，而可在靶表面产生平行磁场之构造，是指具有此一阴极构造之磁控管型溅镀装置。靶子形状具有特征，是属于使用效率很优异之靶子。
D2210	Facing target sputtering (FTS) system 相面对靶子溅镀系统	是指有2个互相面对之平板阴极，与沿着其中心轴之磁场，搭配而成磁控管型之溅镀装置。电子被封闭在相面对之阴极间，产生高密度之等离子体。对磁性体之高速溅镀很有效。
D2211	Thermoionic assisted triode sputtering system 三极管热离子辅助溅镀系统	是指利用热阴极放电之溅镀装置。因具有电子供应灯丝，相面对阳极及阴极等3极，而称为热离子辅助三极管溅射方式。因热离子产生机构独立，具有将靶电压在广泛围内，单独加以控制之特点。
D2212	Thermoinic assisted tetrode sputtering system 四极管热离子辅助溅镀系统	是在三极管热离子辅助溅镀装置中，在灯丝前侧附加热电子控制用栅极，而成为四极管热离子辅助溅镀装置。是为提升热离子之控制性，由三极管热离子辅助溅镀装置，进一步加以发展出来者。
D2213	Ion beam sputtering system 离子束溅镀系统	是指针对置于高真空气氛中之靶子，将从独立离子源以高能加速引出来之离子加以撞击，可在10^-2Pa以下低瓦丝压力下，进行成膜之溅镀装置。
D2214	Bias sputtering system 偏压溅镀系统	是指以负偏压施加于晶圆为特点之溅镀装置。离子之一部将流入基板，虽然在成膜过程中晶圆面，因受到离子之冲击将吸附在膜面之杂志瓦斯驱离出来，除能进行纯水作用外，其它可当作对阶跃式覆盖范围（step coverage）之改善，以及膜面平坦化效应之改善等为目的，加以利用。
D2215	Reactive sputtering system 反应性溅镀系统	是指随着一种化学反应而产生之化合物薄膜（氧化膜或氮化膜等），可附加在素材之溅镀装置。除了氩气外，将活性瓦斯引入溅镀室，列如,对素材如加以溅射金属，可形成金属化合物之薄膜。
D2216	Co-sputtering system 共同溅镀系统	是指将2种以上具有不同成分元素指靶，同时加以溅镀，可独立将个别功率加以控制，能制作经由此一组成所能控制之膜溅镀装置。可利用于凝形成由2 种以上之元素合金或化合物薄膜。
D2217	Electron Coupling Resonance (ECR) sputtering system 电子耦合谐振溅镀系统	是指施加微波与磁场，使之产生电子回旋加速器共振放电，籍以进行将等离子体（plasma）与靶电位，独立加以控制之溅镀装置。
D2218	Cathode/target electrode 阴极/靶电极	在溅镀装置中，是将靶子设置在阴极表面被加以溅镀。此一型装置之阴极有时亦可称为靶电极（target electrode）。
D2219	Collimate sputtering 准直溅镀	是指对从横尺寸比（aspect ratio）较大之接触孔（contact hole）加以镀膜之际。为使至底部亦能或充分之膜厚，在靶子与晶圆间插入格子状板，具有强制地提高垂直成分机构之建设。
编号	用语（英文/中文）	用语说明
D2220	Sputtering rate 溅镀速率	系指有关溅镀装置，每单位时间之成膜厚度。
D2221	Sputtering yield 溅射二次放射系数	系指针对每一个入射离子或中性粒子，从靶子表面被掏出来之原子或分子数目之统计性比例。溅射二次放射系数，依离子之种类，能量之大小，离子入射角，靶子材质，靶子结晶构造及面方位而变化。
D2222	Target 靶子	系指在溅镀装置中，设置于阴极表面，被离子撞击成膜之材料物质。
D2223	Efficiency of target utilization 靶子利用效率	系指针对使用前之靶容积，对消耗容积之比例。位在磁控管阴极上靶材料之消耗，系被夹在磁极之特定领域（浸蚀领域）内进行。此一浸蚀领域之消耗深度，可以确定靶子之寿命。
D2224	Backing plate 支撑板	系指在溅镀装置中，将靶子固定在阴极时，所用之靶固定板。利用例如磁控管溅镀装置这样大电流密度放电之场合，为防止靶本身之温度上升，将靶子连接固定在支撑板上，藉以充分冷却支撑板本身。
D2225	Pre_sputtering	系指在溅镀装置中，在晶圆成膜之前，靶子表面污染层之去除，或为靶表面之安定为目的，所进行之预先溅镀处理。通常将快门光闸关闭状态下进行溅射。
D2226	Force fill process	系指溅射法等对覆盖之洞穴进行A1布线之际，在加热状态下，将靶与基板间距离离远一点，且可在低压下安定加以放电之溅射法。
D2227	Long throw sputtering method	系属于提升根本覆盖范围之一种方法，为仅将溅射粒子之垂直成分能到达基板，将靶与基板间距离离远一点，且可在低压下安定加以放电之溅射法。

2．3 CVD装置用语

编号	用语（英文/中文）	用语说明
D2301	Chemical vapor deposition system 化学汽相沉积系统	系指将可构成薄膜材料之元素,一种或数种之化合物瓦斯、单体瓦斯供给晶圆，经由汽相或在晶圆表面之化学反应，可形成所希望薄膜之装置。若拟激励瓦斯，通常要使用热能或等离子体放电。最近以光（雷射光或紫外线等）激励之CVD装置亦渐接近实用化。
D2302	Thermal CVD system 热激励CVD系统热CVD装置	系指以热能作为激励CVD反应之装置总称。就热之发生源而言，电阻加热方式与红外线灯加热方式。因受反应室内瓦斯压力，又可分成大气压CVD装置，与低压CVD装置。
编号	用语（英文/中文）	用语说明
D2303	Atmospheric pressure CVD system 大气压CVD系统常压CVD装置	系指反应室内压力，为大气压之CVD装置。其特点为沉积速度快，比较上其阶跃式覆盖范围较佳。
D2304	Low pressure CVD system 低压CVD系统减压CVD装置/低压CVD装置	系指将反应室保持在减压（低压）状态之CVD装置。其特点为可进行晶圆表面之均一反应，比较上其阶跃式覆盖范围较佳。为此已下过很多功夫。
D2305	Vertical low pressure CVD system 垂直型低压CVD系统纵型减压CVD装置	系指将反应管及加热器，配置成垂直之低压CVD装置。与水平型比较设置面积较小，因负载锁定（load locking）化容易，逐渐成为主流。
D2306	Metal organic CVD system 有机金属CVD系统有机金属CVD装置/MOCVD装置	系指利用有机金属化合物之热分解反应，来制作化合物半导体膜之CVD装置。与经由汽相磊生成法，所生长化合物半导体单结晶之MOVPE装置，虽有所分但装置构成上有很多类同点。
D2306	Organo-metallic CVD system 有机金属CVD系统 OMCVD装置
D2307	Plasma enhanced CVD system 等离子体增强CVD系统	系指在低压下，经反应性瓦斯之等离子体放电分解，可形成薄膜之CVD装置之总称。与热激励CVD法不同，具有可在较低温CVD反应之特点。将等离子体之产生能量，若以频率为主加以分频时，有高频等离子体，微波等离子体，ECR等离子体等各种装置。
D2308	RF plasma enhanced CVD system 高频等离子体增强CVD系统	系指在低压下，经由反应性瓦斯之高频辉光放电分解，可形成薄膜之CVD装置。经由装置构造，可分频为电容性耦合型及电感性耦合型。
D2309	Capacitive coupled plasma enhanced CVD system 电容性耦等离子体增强CVD系统	系指对设置在石英反应管之外侧或内侧相面对电极间，施加电压产生低压反应瓦斯之等离子体，经由等离子体分解可在晶圆上，形成薄膜之 CVD装置。
D2310	Multiple parallel plate electrode plasma enhanced CVD system 多平行电极等离子体增强型CVD系统	系指对石英反应管内插入多数平行电极板，在此电极上设置有多数成垂直之晶圆，具有此一构造之电容性耦合型等离子体CVD装置。在相面对平行电极板间，施加高频功率产生低压反应瓦斯之等离子体，而形成薄膜
D2311	Diode parallel plate enhanced CVD system 二极管平行板等离子增强型CVD系统	系指反应室内有2片平行电极板相对，在内建有加热器之一侧电极板上设置晶圆，在互相面对之电极间施加高频电压，使之产生低压反应瓦斯之等离子体，使晶圆上形成薄膜之电容性耦合型等离子体CVD装置。
编号	用语（英文/中文）	用语说明
D2312	Coaxial cylindrical plasma enhanced CVD system 同轴圆筒型等离子增强型CVD系统	指对圆筒型外部电极内部，配置同轴状多面体之晶圆固定电极，此一电容性耦合等离子体增强型CVD装置。在二电极间施加高频电压，使之产生低压反应瓦斯之等离子体，而在晶圆上形成薄膜。
D2313	Inductive coupled plasma enhanced CVD system 电感性耦等离子体增强CVD系统	系指绕在石英反应管外侧之线圈施加高频电压，使之产生低压反应瓦斯之等离子体，使设置在反应管内之晶圆上，形成薄膜之等离子体CVD装置。
D2314	Microwave plasma enhanced CVD system 微波等离子体增强型CVD系统	系指具有由微波导波管，与产生等离子体瓦斯导入口，经由微波激励之等离子体放电室，所构成之等离子体CVD装置。在经由微波所产生等离子流之下游，引进反应瓦斯，可在内建有加热器（susceptor）内，于低温形成薄膜。亦有将反应瓦斯直接引进等离子体放电装置之方法。
D2315	After glow microwave plasma enhanced CVD system 隔离型微波等离子体增强型CVD系统	系指将经由微波将等离子体产生室与成膜室加以隔离，期间以输送通路加以连接之微波等离子体增强型CVD装置。因晶圆没有暴露在等离子体下，具有不受等离子体影响之低损害成膜之特点。
D2316	Electron Coupling Resonance (ECR) plasma enhanced CVD system ECR等离子体增强型CVD系统	是指由微波导波管连接而在周围设有磁场产生机构之等离子体室,与收纳晶圆之反应室,所构成之CVD装置.经由2.45GHz之微波与875G之磁场,利用离子源来产生高密度之等离子体,将反应性瓦斯加以分解,于低温下在晶圆上形成薄膜..
D2317	Photo assisted CVD system 光辅助型CVD系统光CVD装置	是指经由光能将气体分子加以分解,于低温在晶圆片上形成薄膜之CVD装置.因所使用光源,可分类成雷射CVD装置与紫外线灯CVD装置.
D2318	Laser assisted CVD system 雷射辅助型CVD装置	是指经由雷射光能将气体分子加以分解,与低温在晶圆片上形成薄膜之CVD装置.因所使用雷射(由电子激励),与红外线雷射(由振动激励)等CVD装置.
D2319	Ultraviolet lamp heating CVD system 紫外线灯加热型CVD系统	是指由紫外线灯光装置,与内建有晶圆片加热器之反应室,所构成之CVD装置.紫外线光源要使用可产生200nm-300nm之紫外线,或200nm以下之真空紫外线波长范围之灯泡.总之,反应分子之光分解,是利用瓦斯分子之位能(potential energy)吸收紫外线,将其提高到电子激励状态,然后加以分解之原理.。
D2320	Liquid source delivery system 液体源输送系统	系指将Si或金属化合物等液体源，加以汽化并连续输送一定量至反应室之装置。惯用之起泡方法，系将输送量以汽化瓦斯之流量加以控制之方法（直接法)与以液体之流量加以控制，然后加以汽化之方法已被研发，依反应室之压力条件，或液体源之蒸汽压，分开使用。
编号	用语（英文/中文）	用语说明
D2321	Radio frequency workcoil 高频工作线圈	系指当将Si或GaAs等之半导体晶圆加以加热之际，为要加热搭载此等被加热体之承受器，在其近旁所配置之感应线圈。对感应线圈施加高频电压，由于被加热体属于导体，因受电磁感应而产生涡电流，而以涡电流所产生之热来加热被加热体。
D2322	Cold wall 冷壁	在CVD装置中，系利用内建在反应室中来自加热器，或紫外线灯泡之放射热或高频加热，将晶圆加以加热之方法。因反应室之内壁温度不致成为高温，与热壁相对而称为冷壁。
D2323	Deposition rate 沉积速度	系指在晶圆片上每单位时间之生长膜厚。使用于CVD成膜方法之场合较多。
D2324	Chamber cleaning 反应室清除	是指将附着在反映室内之反应残渣加以清除之方法。就干蚀刻（dry etching）法而言，有利用瓦斯之化学蚀刻（chemical etching）法，与等离子体清除（plasma cleaning）法。
D2325	TEOS-O₃ atmospheric pressure CVD method TEOS-O₃ 大气压CVD法 TEOS-O₃ CVD法	是指以属于液体源之TEOS作为反应源，以O₃ 作为氧化剂，在大气压下形成SiO₂膜之CVD法。具有优越之阶跃式覆盖范围，与高生产量（through-out）为期特点。有时以B、P作为残杂剂（dopant）。 tertraetylorthosilicate : Si(OCH₂CH₃)₄，冠其头一字而称为TEOS。
D2326	Reaction tube反应管	是指在CVD装置或磊晶生长装置等热处理装置中，反应部形状为管状者。是以高纯度石英管被用作反应管材。
D2327	Reaction chamber/reactor 反应室/反应器	是指在CVD、磊晶生长装置等所用之成膜室。可以收纳晶圆、晶圆保持架（wafer holder）及承授器（susceptor）.特别以高纯度石英制作之管状者，称为反应管。反应室有时亦称为沉积室。
D2327	Deposition chamber 沉积室，蒸镀室
D2328	Plasma cleaning 等离子体清除，电浆清除	是指在CVD装置中，经由反应气体离子体之产生，将附着于反应室内之膜，加以清除之方法。
D2329	Plasma TEOS CVD method 等离子体TEOS CVD 法	是指对低压CVD之反应室输送TEOS作为反应瓦斯，经由对电极间施加高频电压来产生等离子体，而在晶圆片上形成SiO2膜之方法。有时以B、P作为掺杂剂。
D2330	Pre-cleaning chamber 预先清除室	是指在蒸镀或沉积前，将晶圆片表面加以清除之专用处理室。大都使用于多室腔型之装置。
D2331	Hot wall 热壁	是指在CVD装置中，利用由反应室之外侧加热器，来进行加热反应器内晶圆之方法。因此反应室内壁温度为高温，而称为热壁。

编号	用语（英文/中文）	用语说明
D2332	Metal CVD method 金属CVD法	是指利用金属化合物之热分解，来形成金属膜之CVD法。为对应于细微图案之布线、填坑及平坦化，可选择WCVD、覆盖（blanket）WCVD 已被实用化。其它作为位障（barrier）层之形成或布线材料，已经研发了好多种金属之成膜方法。
D2333	Excluding backside deposition 防止背面沉积	系指可防止在晶圆背面生成薄膜之构造及其方法。在金属CVD法中，反应瓦斯会迂回到晶圆背面，进行不完全成膜，此法大都为防止因剥离有时会产生微粒时使用。
D2335	Diamond CVD 金铜钻CVD	系以甲烷等碳素化合物为原料，籍以形成金钢钻薄膜之CVD。可以使用等离子体CVD法，热灯丝法，离子束溅射法等，此一金钢钻CVD可期待应用到制作高速、高温动作之半导体组件。
D2337	Vaporized solution source CVD 汽化液体源CVD	系经由液体原料加以汽化，使之在晶圆表面形成薄膜之CVD。最近用来形成BST、SBT等强电介体薄膜。
D2338	High density plasma enhanced CVD 高密度等离子体增强型CVD	系为提升阶跃覆盖范围，与增大附着速度，将等离子体密度增强之CVD。就等离子体产生源而言，有ECR或螺旋波可被使用。

2．4 磊晶生长装置用语

编号

用语（英文/中文）

用语说明

D2401

Exitaxial growth system

磊晶生长系统

是指承继晶圆之结晶性，可磊晶生长成单晶层之装置。受生长之气氛，可以大略分成分子束磊晶生长装置，液相磊晶生长装置。从材料面来观察时，可分类成与晶圆生长同一材料者，称为同质磊晶（homoepitaxy）,与晶圆生长层不同材料者，称为异质磊晶（heteroepitaxy）。

D2402

Molecular beam epitaxial growth system

分子束磊晶生长系统

是指将凝要生长之材料，在10-8-10-9之超高真空中，以分子束状迎面奔向相对之晶圆片上，磊晶生长成单晶层之装置，具有可在低温制作杂质或结晶缺陷少之薄膜等特点。通常在成膜制程现场可附设，可以分析组成成分或观察结晶性之附属功能。

编号	用语（英文/中文）	用语说明
D2403	Gas source molecular beam epitaxial growth system 瓦斯源分子束磊晶生长系统	是指可将有机金属CVD装置（MOCVD）与分子束磊晶装置（MBE）两者之优弱点，加以取长补短之装置。因使用瓦斯源作为薄膜生产材料，除了有MBE 之优异结晶控制性，也具备有 MOCVD之可选择生长等特点。此一系统有时可称为有机金属分子束磊晶生长系统，或化学分子束磊晶生长系统。
	Metal organic molecular beam epitaxial growth system 有机金属分子束磊晶生长系统 MOMBE 装置
	Chemical beam epitaxial growth system 化学分子束磊晶生长系统 CBE装置
D2404	Atomic layer epitaxial growth system 原子层磊晶生长系统装置/ALE装置	是指使原子层或分子层，一层一层加以控制使其生长之装置，就原子层之控制方法而言，可分类为定时（timing）法与饱和吸附法，将化合物半导体组件制作成极微细构造，用来获得量子效果。
D2405	Vapor phase epitaxial growth system 气象磊晶生长系统	是指利用高温汽相中之化学反应，可在晶圆片上生长硅、化合物半导体等单结晶之装置。此一装置可分类为大气压汽相磊晶生长法，有机金属汽相磊晶生长法，及光汽相磊晶生长法等装置。
D2406	Atmospheric pressure vapor phase epitaxial growth system 大气压汽相磊晶生长系统	是指汽相磊晶生长可在大气压下进行之装置。此一装置通常使用于硅装置，特别是双载子（bipolar）装置等制程上。
D2407	Reduced pressure vapor phase epitaxial growth system 减压汽相磊晶生长系统	是指汽相磊晶生长可在减压状态进行之装置。由来自晶圆之自动掺杂会减低，有可得峻峭之组成分布等等之优点。亦可称为低压汽相磊晶生长系统。
D2407	low pressure vapor phase epitaxial growth system 低压汽相磊晶生长系统
D2410	Liquid phase epitaxial growth system 液相磊晶生长系统	是指将单结晶之子晶（seed），接触到含有生长材料之过饱和溶液，经由使二者间形成温度坡度，而在晶圆表面生长磊晶层之装置。
D2412	Deposition chamber 沉积室	是指在CVD装置，或磊晶生长装置，为形成薄膜之部分装置。此一称沉积室可收纳有晶圆，晶圆固定器，承受器（susceptor）及加热器等。
D2413	Growth rate 生长速率	是指每单位时间在晶圆上之生长膜厚度。使用于磊晶生长法之场合较多。

D．3 氧化用语

编号	用语（英文/中文）	用语说明
D3001	Oxidation system 氧化系统	是指可在晶圆片上形成氧化膜之装置。依温度，周围空气，压力以及装置之形成，可分成大气压热氧化、高压热氧化及等离子体阳极氧化等装置。为氧化膜厚之调节活为防止膜中之金属污染为目的，有时采取分压氧化，盐酸添加氧化，TCA(t ri ch lo ro－ethane)添加氧化，DCE(di ch lo ro－ethylene)添加氧化等方法。
D3101	Thermal oxidation furnace 热氧化炉	是指经由将氧气或水分子，输送到反应室内被加热之晶圆，使之在高温下经热氧化反应，而在晶圆面上形成氧化膜之装置。
D3102	Atmospheric thermal oxidation furnace 大气压热氧化炉	是指可在大气压附近形成热氧化膜之装置。氧化之方法有干式（在干燥氧中氧化），湿式（以水蒸汽氧化），以氢气来燃烧等氧化。就反应管及加热器之配置方式而言，可分为横型大气压热氧化，及纵型大气压热氧化等装置。
D3103	High pressure thermal oxidation furnace 高压热氧化炉	是指可在高压下进行氧化之装置。与通常之热氧化比较，可谋求氧化温度之低温化及氧化时间之缩短化。
D3104	Plasma oxidation system 等离子体氧化系统	是指经由以化学较活性之氧气等离子体与晶圆间之反应，可形成氧化膜之装置。可在较热氧化法为低之温度形成氧化膜。
D3105	Rapid cooling system 急冷系统	是指在氧化，扩散及CVD装置中，可将炉内温度作急速冷却之电炉。若晶圆处理温度与晶圆取出温度不相同时，可能影响产量之提升。
D3106	Oxynitridation in N₂O(NO) 酸窒化酸化	是指使用N2O或NO瓦斯，将晶圆加以氧氮化之作法。经由本作法所得极薄氧氮化膜，因可由氮气原子改善接口特性，较以往之热氧化法所得氧化膜，可以提升电气特性。
D3106	Oxynitridation in N2O（NO）在N2O中之氧氮化
D3107	External torch unit 外界火炬装置	是指使用热氧化装置来进行水蒸汽氧化时，在反应炉外燃烧氩气与氧气来产生水蒸汽之装置。水蒸气之量是以质量流控制器（mass flow controller）.对氩气及氧气作精密之调整控制。其燃烧部亦可以称为高温装置。
D3108	Linear tube 线性温度加热管，均热管	是指在利用各种加热源来加热似料之装置中，为避免加热源参差不齐之温度传入试料中，在加热源与试料间插入，籍以使加热温度均匀化之容器。通常都使用管状容器。

编号	用语（英文/中文）	用语说明
D3112	Radial temperature uniformity 径向温度均一性	是指在热氧化、热扩散及CVD等装置中，位于炉之任意横断面，其温度分布之均一性。径向量度之均一性因与晶圆之面内温度有直接关联，例如，对于CVD膜生长是一很重要之因素。
D3113	Flat zone length 热平坦区长度	是指具有将温度分布控制在控制在规定之温度偏差以内之领域长度。
D3114	Temperature recovery time 温度复原时间	是指对预先加热反应管之均热部部分，从插入晶圆算起至获得插入晶圆前之均热状态所需时间。
D3115	Temperature profile 温度断面图	是指位于晶圆筒形加热器反应管内部长方形方向之温度分布，是表示炉内温度与距离间关系之图案。
D3116	Boat loader 晶舟搭载机	是之为将放置试料之晶舟，送进抑或退出之自动搭载机。关于速度与停止位置之再现性，需要进行告精度之控制。经由将推进棒(pusher)拔出或插进反应管，来进行试料晶舟之插入或拔出。
D3118	Boat 晶舟	指将晶圆插入反应管或从反应管拔出时所用之冶金工具。通常是以高纯度之石英或加工SIC来制作之。在此一晶舟之槽沟上可设置大约25－200片左右之芯片，来进行反应处理。
D3119	Boat transfer 晶舟输送机	是将多数之垂直型反应管排成一列，从自动化装置之一端。将晶舟沿着反应管列输送，针对着设置在各反应管内之晶舟处理机（boat handler），将晶舟加以交接之装置。
D3120	Boat elevator 晶舟升降机	是使用于晶舟输送装置之一种，将晶舟对上下（垂直）方向输送，针对各反应管将晶舟加以交接之装置。
D3121	Boat handler 晶舟处理机	是使用与晶舟输送之处理装置，是位在晶舟升降机与晶舟输送机间，将晶舟作垂直交接之装置。主要使用于垂直型反应炉。
D3122	Cassette transfer 晶舟匣盒传送机	是指将多数之垂直型反应管排成一列，从自动化装置之一端，将晶圆匣盒沿着反应管输送，针对设置于各反应管内晶圆自动移载装置，将晶圆
D3125	Ramp up 倾斜升温，每单位时间之温度上升	是指当晶圆送入热处理炉内后，依某一决定速度将温度倾斜上升至处理温度之谓。亦是每单位时间之温度上升。相反，对某一决定速度将温度降下来者，称为冷却（cool down）.
D3127	Internal torch unit 内部火炬装置	是使用热氧化装置来进行水蒸气氧化时，将氢气与氧气送入加工处理管(process tube)内，加以燃烧之水蒸气产生装置。
D3129	Oxidation seed 氧化种子　酸化种	是指有助于氧化反应之原子，分子及离子等物质之总称。

编号

用语（英文/中文）

用语说明

D3130

Process tube

加工处理管，管壮反应器

是有关热处理装置，直接将高纯度瓦斯引进其内部，藉以将晶圆加以处理之管状反应器之总称。该管难以使用高纯度石英玻璃为主，就高温加工处理用而言，大都使用碳化硅（ＳiＣ）

D．4 掺杂（doping）用语

编号

用语（英文/中文）

用语说明

D4001

Doping system

掺杂系统

是指为将Ｐ型或Ｎ型杂质原子，添加于晶圆片上之掺杂装置。有关杂质掺杂方法有热扩散(thermal diffusion)法，雷射掺杂(laser doping)法，等离子体掺杂(plasma doping)法及离子注入(ion implantation)法。

4．1 热扩散装置用语

编号

用语（英文/中文）

用语说明

D4101

Thermal diffusion furnace

热扩散炉

热扩散装置

是能经由控制温度与流量，可将p型或n型杂质热扩散到晶圆片中之装置。由于反应管及加热器之配置方法，可分为横卧式热扩散，与竖立式热扩散等装置。

4．2 雷射参杂装置用语

编号

用语（英文/中文）

用语说明

D4201

Laser doping system

雷射掺杂系统

是指将紫外领域波长之雷射光照射于晶圆上，经由光化学反应将掺杂物（dopant）瓦斯加以分解，同时将照射部分局部加以溶解，可对此一部分进行掺杂（doping）杂质之装置。与离子注入法有所不同，缺陷之形成被加以抑制，因而为活性化之退火（annealing）处理可弃之不用。就雷射而言，主要使用具有短波长之准分子雷射（excimer laser）。

4．3 离子直入装置用语

编号

用语（英文/中文）

用语说明

D4401

Ion implanter

离子注入机

是指对具有运动能量之离子加以照射，为能将试料之物性加以控制之装置。此一装置是由离子源，提取电极系统，质量分析系统，注入室等所构成。

D4402

Low energy ion implanter

低能量离子注入机

是指离子能量（1价离子）之最大值，在10Kev以下之离子注入装置。

编号	用语（英文/中文）	用语说明
D4403	Medium energy ion implanter 中能量离子注入机	是指离子能量（1价离子）之最大值，超过10Kev而在250Kev以下之离子注入装置。
D4404	Low current ion implanter 小电流离子注入机	是指线束电流量之最大值，未超过0.5mA之离子注入装置。
D4405	Medium current ion implanter 中电流离子注入机	是指线束电流量之最大值，在0.5mA ~ 5mA之离子注入装置。
D4406	High current ion implanter 大电流离子植入机	系指线速电流的最大值，在5Ma以上的离子植入装置。
D4407	High energy ion implanter 高能量离子植入机	系指离子能量（1价离子）的最大值，超过250Kev的离子植入装置。
D4410	Ion source 离子源	系形成各种元素等离子体的部分。因放电种类的不同，有直流型、高频波型以及微波型，目前最适用者为弗里曼型，系属于直流型。此一离子源，系利用由磁场中的灯丝所放出的热电子，来形成离子。
D4411	Ion implantation 离子植入，离子移植	系指将被加速离子植入半导体基片的方法。通常利用硼（B），磷(P)，砷(As)等离子，作为引进用杂质。其控制性与再现性相当优异，被广泛用作取代以往的热扩散法，作为半导体基片的杂质导入法。
D4412	Ion beam 离子束	系指将无秩序状态的离子，加以控制而获得有方向性且步调一致的离子流。中性的原子或分子，当失去电子而被离子化状态下，各个离子系未具有方向性，且有无秩序的举动。
D4413	Mass resolution 质量分解力	系指在质量分析系统中，能将质量数很接近的2种以上的离子，加以分离的能力限度。质量分解力可以质谱上线速电流量的半值宽，与其离子质量数之比来表示
D4414	Wafer-to-wafer dose uniformity 晶圆间离子植入的均质型	系在同一植入条件下，对多数晶圆片进行植入离子，经算出每一片晶圆的平均面电阻系数，根据此一电阻系数求得各晶圆片的偏差值者。亦称为再现性，同为重要的评价项目。
D4415	Wafer twist 晶圆扭转	系将晶圆片上置于晶缘固定板(platen)上时，由基准位置将主定向平面(orientation flat)，以晶圆面中心点为轴，加以旋转一定角度。此一角度称为扭转角(twist angle)。
D4416	Wafer disk 晶圆圆盘	系指为能使晶圆可以分批处理，能将其数片~十数片，加以装填的圆盘。为要确保离子注入的均质性，与为避免因热损及晶圆，可以使其高速旋转又可同时作业并进运动。
D4417	Wafer tilt 晶圆倾斜	系指当进行离子注入之际，将晶圆加以倾斜者。由晶圆中心竖立的法线达到晶圆中心的线速所成角度，称为倾斜角。

编号	用语（英文/中文）	用语说明
D4418	Wafer dose uniformity 晶源离子注入均质性	系指当晶圆被注入杂质的离子时，为表示晶圆内究竟注入何种程度均质性的指针。就其评价方法而言，通常在退火后，经由4探针法，在晶圆面内进行数十点的面电阻系数分布测试，经由统计处理求得偏差值。
D4419	Wave guide 离子波束引导管（腔），导波管	系指在质量分析系统中，为时离子波束中通过,所设置的真空腔(vacuum chamber)。为防止有不必要波束的碰撞削去其内壁，设置有内衬保护板(liner)者为数不多。有时亦称为分析管(腔)。
D4419	Analyzing chamber 分析管（腔）
D4420	Energy contamination 能量污染，杂质能量	系指离子能量位在可作目标值以外的离子能量总称。因离子与残留气体（中性粒子）的碰撞，经电荷交换所产生离子，或分之离子的分解所产生离子，变成非目标能量而植入晶圆者。
D4421	Electron suppressor 电子抑制器	系指当将离子植入靶子的过程中，将与各种电极或孔径相碰撞。籍电场或磁场将该时产生二次电子，不至于从产生地点泄漏到外界的机构。为要抑制产生二次电子所加的称为偏压。
D4421	Base 偏压
D4422	Electron flood gun 淹没式电子枪，电子流枪	系指对晶圆植入离子时，为防止在晶圆片上产生正电荷(charge up)，可对晶圆提供低能量电子，籍以中和的机构。有时亦称为电子(electron show)流枪，或电子障壁。
D4424	Orientation flat aligner / flat orientor 定向平面对准器	系指将晶圆搭载于晶圆固定板之际，将晶圆的定向平面(orientation)，或将缺口(notch)加以对准所定位位置的机构。由此对准器可以决定离子植入时的扭转角(twist angle)，与晶圆倾斜(wafer tilt)共同决定离子植入晶圆时的入射角度。
D4425	Rotational implant 旋转式（离子）植入	系指将晶圆依其经晶圆面中心点为轴，作为旋转进行的离子植入。有时离子植入中晶圆并不旋转，植入一定量后加以旋转一定角度，然后再继续植入者，称为步进旋转植入法。
D4428	Acceleration tube 加速管	系指经由加速方式，设置在分析系统先后，可给与离子能量的管子，系由绝缘物与电极所构成，通常是属多段构造。对各电极施加以分割的加速电压，由形成在电极间之电场来加速离子。
D4429	Acceleration voltage 加速电压	系指为能对经由提取电压所加速的离子，给予一定离子能量，对加速管所施加的电压。离子能量可加速电压与提取电压的总和，及离子价数来决定。

编号	用语（英文/中文）	用语说明
D4431	Cross contamination 交互污染	系指经由离子注入装置构成材料的污染。是由晶圆保持夹以及晶圆附近的金属制品等，受到离子波束的溅射，而引进晶圆内部的污染者。在同一装置内一连串不同制程间，各个制程所使用瓦斯或生成物，污染到其它制程环境者。随着组合设备工具(cluster tool )的普及，此一用语的使用日益增多。
D4433	Post acceleration system 后段加速系统	系指在质量分析系统之前，将以20-40 Kev 之低加速能量给予离子波束，而在质量分析系统之后，加速至所需要能量的方式，后段加速方式可以小型的质量分析磁铁，可实现较高能量的离子注入。
D4435	Solid vaporizer 固体蒸发源	系指要产生之际，可搭配与离子源而被用作固试料的蒸发源。试料在真空中被加热器加热至数百度oC,变成蒸汽而被引进等离子形成室。主要从安全性的观点，此一固体蒸发大都用作替代有毒瓦斯。
D4436	Contamination level 污染量	系指关于晶圆中的注入量，经由SIMS,原子吸光分析等之定量分析，可利用下述数式来计算。污染量[%，ppm]=混进离子的注入量（atoms/cm³）所盼离子的注入量( atoms/cm³ ) 就离子注入装置而言，有时也可用混进离子波束电流，与所分离子波束电流的比值来表之。
D4439	Deionized water cooling 去离子水冷却	系指对离子注入装置的高电压端内，及终端站系统的去离子水冷却，去离子水冷却因具有绝缘性甚佳为由被用来替代氟氯烷(freon),而被普遍使用。若考量耐电压或波量测错误有必要将去离子水之比电阻作适当之管理。
D4440	Scanned beam current 扫描波束电流	系指以离子波束加以扫描，使其注入晶圆时之波束电流值。以离子波束加以扫描时，离子波束因受离子注入装置遮光罩之限制，仅被限制领域之离子到达晶圆，成为较点状(spot ) 照射为少之电流值。
D4442	Preacceleration system 前置加速系统	系指从离子源被提取之离子波束，在质量分析系之前，给予必要之加速能量，经质量分析后，对靶子注入离子之方式。
D4443	Ion source magnet 离子源磁铁	系指以协助原子，分子之电离为目的，而对离子源施加磁场之磁铁。大都被当作正交电磁场或不均一磁场（镜面磁场）来使用。其磁场之强度以离子源之种类而定。

编号	用语（英文/中文）	用语说明
D4444	Tandem electrostatic accelerator 串接静电加速器	将置于大地电位之离子源，所产生的负离子，经由静电场加速后面向正电位之高压部，又被设在该部之电荷变换器换成正离子，然后再面向大地电位，进一步被静电场加速，而获得所需要能量离子加速方式之离子植入装置。系为形成高能离子时使用。
D4445	Channeling 穿隧效应/沟道效应	若沿着结晶轴或结晶面，将离子加以照射时，大多数离子不会与结晶中之原子核或电子碰撞，而侵入到结晶内部。此一过程称为穿隧效应（channeling）。离子沿着结晶轴侵入者，称为轴穿隧效应，离子沿着结晶面侵入者，称为面穿隧效应。
D4446	Charge up 充电，使绝缘物带电	系指注入离子中，晶圆片上之绝缘物会带电之情况。为此组件在离子植入中，有时会劣化甚至被破坏。为防止这一情形发生，大都设有淹没式电子枪（ electron flood gun）.
D4447	Implant chamber 离子植入室	系指对晶圆进行离子植入的处理室。当植入离子时，为避免室内某瓦斯原子与离子加速，因碰撞所产生中性粒子，被打进晶圆内而产生离子植入量有维持高真空的必要。为达成高生产量（high throughput ）,亦准备真空预备室或2套离子植入室的设备。有时亦可称为处理室或打靶室。
	Process chamber 处理室
	Target chamber 打靶室
D4448	Muliple tilt angle implantation 多倾斜角植入	系指植入离子之际，对一片晶圆将倾斜角多次边变换边进行离子植入者。再离子植入中倾斜角系被固定，植入一定量后，再移至下一个倾斜角继续进行注入。通常在植入中。晶圆系连续在旋转。
D4449	Acceptable wafer size 适用晶圆尺寸	系指装置所能处理的晶圆尺寸。因受到终端站机构等限制，可进行注入处理的晶圆大小，就受到限制。通常，可处理晶圆的直径以被称呼之直径表之。
D4450	Dose 剂量	系指植入试料或被植入每单位面积之离子数目。
D4451	Hybrid scan 混合式扫描	系指可将波束扫描（静电扫描，磁铁扫描），与机械式扫描加以搭配，可得离子植入很均匀之扫描方式。例如X方向之扫描，系将晶圆盘高速加以旋转，同时利用电场或磁场，将离子波束就Y方向加以扫描。
D4452	Batch-to-batch dose uniformity 批次间之注入均质性	基本上系与晶圆间之注入均质性（再现性）同一意义。以批处理进行注入离子之场合，每一批搭载有评价用晶圆，与晶圆间均质性之场合同样，可以求得各批次间之偏差。

编号	用语（英文/中文）	用语说明
D4453	Parallel beam 平行波束	系指将离子波束加以扫描植入时，对晶圆表面之入射角，系属于相同之离子波束。此一离子波束可分为两次元平行化加以扫描的方式，与一次元平行化之混合方式。
D4454	Beam stability 波束安定性	系指在产生离子波束之状态下，表示装置安定性之指针。当操作人员没有操作装置的状态下，在一定时间内以波束电流之变动量表之。
D4455	Beam energy 波束能量	系指构成离子波束，其离子本身所具有之能量。特别关于靶极，系指离子波束所具有运动能之情形较多。此时，离子系以波束能量被注入试料中。
D4455	Ion energy 离子能量
D4456	Beam focusing system	系为要聚焦离子波束，具有透镜作用之部分装置总称。此一波束聚焦系统，有静电电极透镜，静电4重极透镜，磁场透镜，及磁场4重极透镜等等。
D4457	Beam current 波束电流	系指将离子波束之量，以离子在单位时间搬运之电荷量，亦即以电流来表示者。特别关于靶极，系指照射于试料之离子波束量。由多价离子所构成离子波束之场合，有以电流量本身来表示之场合，与以其离子之价数除以电流量之商值来表示的场合，分别以eA(electri campere)及pA(particle ampere)表之。
D4457	Ion current 离子能量
D4458	Beam filter 波束滤波器	关于植入多价离子时，为去除因离子波束与残余瓦斯间的碰撞，而产生低能量成分，所增设适当位障（potentail barrier )之机构。多价离子之植入，系在有必要对装置注入最大加速电压以上之能量时使用。
D4459	extraction voltage 提取电压	为要提取在离子源所产生的离子，是指在离子源与提取电极的系统间，所施加的电压，经此一电压，可决定从离子源所提取的离子能量。
D4460	Extraction electrodes 提取电极	是指与电弧室缝隙相面对为要将离子源所产生的离子，加以提取出来的电极。为要使离子波束具有聚焦作用，通常是由2片电极所构成。
D4461	Faraday system 法拉第系统	是指由连接到抑制电极及电流积分器的法拉第帽极，及靶极等所构成，可以用来将入射靶极的离子波束电流量，加以检测出来的装置。因二次放射电子经电子抑制器，又会回到法拉第帽极，电流量测试不致产生误差。
D4462	Platen 晶圆固定台	是指单片晶圆处理的终端站，将被送到达的晶圆加以保持住，且将晶圆设定到晶圆台，通常圆晶圆固定台有冷媒循环，将晶圆加以冷却。此外，固定晶圆的固定台，在离子注入时，将成为法拉第系统的一部分，而发挥其功能。
编号	用语（英文/中文）	用语说明
D4463	Resolving aperture 鉴别孔隙	是指位于分析磁铁的焦点位置，是为挑选所离子种类的缝隙。缝隙的大小成为质量分析上，可决定分解能力的重要因素。
D4464	Anylyzing magnet 分析磁铁	是指从包含有各种离子波束中，仅可将必要的离子中加以提取出来的磁铁。不同离子中在磁场内，各个依从其运动量而描述不同的轨道。利用此一特性，经由调整分析磁铁的磁场强度，仅可将所要的目标离子挑选出来。
D4465	Mask 孔板，障板	是指当以扫描离子波束植入离子时，为要决定植入领域，配置在法拉第系前的孔径。其孔径尺寸可选取其扫描领域能覆盖包含晶圆周围数mm即可。
D4466	Mechanical scan 机械式扫描	是将离子波束加以固定，将装填多数片晶圆的圆盘，对X,Y方向作机械式扫描，可获得注入很均匀的扫描方式。就一般而言，将旋转圆盘作上下或左右并进运动。
D4467	Radio frequency linac accelerator 高频线性加速器	系将离子源引出之离子，利用高频所加速方式之离子注入装置。在大地电位之短小线束中，较低之电压经由高频（RF），反复多数次将离子加以加速，可以形成MeV位阶之高能离子。此一加速器有将多数RF线性加速方式，与以单一四重极将离子反复加以加速与聚焦RFQ型加速方式。
D4467	Radio frequency quadrapole accelerator 高频四重极加速器
D4468	Plasma flood gun 淹没式等离子枪	系指具有与淹没式电子枪（electron flood gun）同样之目的，能对产生在晶圆上之正电荷加以中和之机构。系利用等离子体仅将低能量之电子，加以引进晶圆上。与淹没式电子枪比较，较不容易产生过剩之电子。
D4469	Final engry magnet 终极能量磁铁	系指仅将作为目的能量之离子束，加以一定角度偏向之磁铁。其原理数以分析磁铁同样，此一目的系为去除能量污染（energy contamination）而设。

D．5 退火处理（annealing）用语

编号

用语（英文/中文）

用语说明

D5001

Anneal

退火处理

系利用各种加热源，来进行试料之热处理。因为加热源种类之不同，可以分类为激光退火处理、热放射退火处理、电子波束退火处理、闪光灯退火处理、及电炉退火处理等装置。

5．1 退火处理装置用语

编号	用语（英文/中文）	用语说明
D5101	Laser annealer 镭射退火处理机	系以激光光照射晶圆表面，，或将形成在晶圆片上之薄膜，在局部且短时间内，进行退火处理之装置。因激光光照射方式之不同，可分为脉冲激光退火处理、CW激光退火处理等装置。
D5102	Pulse laser annealer 脉冲镭射退火处理机	系指使用红宝石，YAG,准分子激光（excimer laser）等，将脉冲时间20∽50ms,功率密度10⁷∽10⁸w/cm2之脉冲振荡激光光，照射到晶圆片上，在1us以内之短时间内，可进行退火处理之装置。此一装置所能退火处理之面积较大，杂质之活性率有偏高之特点。
D5103	CW(continuous wave )laser annealer 连续波镭射退火处理机	系指使用氩（Ar）、氪（Kr）\CO₂以及YAG激光等，将功率密度10⁶W/CM₂之连续振荡激光光，照射于晶圆片上，在ms等级之短时间内进行退火处理之装置。此一装置因不易产生杂质之再分布，具有可形成较浅接合之特点。
D5104	Electron beam annealer 电子波束退火处理机	系指经由高能电子波束之照射，将晶圆表面，或形成在晶圆片上之薄膜，作局部且在短时间内，可进行退火处理之装置。经由电子线之照射放射方式，可分成脉冲电子波束退火处理，即CW电子波束退火处理等装置。
D5105	Infrared annealer 红外线退火处理机	系指使用百热线或百热灯，将所产生放射光照射于晶圆片上，可在短时间内进行加热处理(Rapid Thermal Processing;RTP)之装置。经由放射光照射之处理不同方式，可分为卤素灯退火处理、弧光灯退火处理、石墨加热器退火处理等。
D5106	Halogen lamp annealer 卤素灯退火处理机	系指使用路数等作为加热源之退火处理装置。此一装置对加热退火处理（Rapid Thermal Anneal;RTA）
D5107	Flash lamp annealer 闪光灯退火处理机	系使用氙气闪光灯，将功率密度10⁴^∽10⁵W/CM₂之高能光照射于今片上，在数十um∽ms之短时间内，可进行退火处理之装置。此一装置具有一次可在大面积上退火处理，及杂质再分布较少之特点。
D5108	Arc lamp annealer 弧光灯退火处理机	系指使用弧光灯作加热源之退火处理装置。可再ms极短时间内进行退火处理。
D5109	Graphite heater annealer 石墨加热器退火处理机	系指将石墨加以烧结，且利用其当作加热源，可作为短时间内作退火处理之装置。
D5110	Furnace annealer 电热炉退火处理机	系利用百热线等加热气，作为所希望之温度气氛，经由此一热传导加热晶圆片，籍以进行退火处理之装置。由于电热炉构造之不同，可分为横卧与竖立型电热炉退火装置。
编号	用语（英文/中文）	用语说明
D5111	Annealing chamber 退火处理室	系指构成退火处理装置之要素中，为加热对象物所设置空间或构成品。此一构成品有石英制及金属制。
D5112	Annealing temperature 退火处理温度	系将试料做作加热处理时，可是该物质构造或物性安定化之处理温度。就晶圆制程而言，系指为进行非晶质层之单结晶化，热压结（sintering），接口之特性提升。恢复变形等之热处理温度。
D5113	Temperature up and down profile 温度升降剖面图	系指将晶圆等作热处理时，可显示其升降温度，，与处理时间间关系之图案。为提升热处理之再现性，为防止产生晶圆片之扭曲、变形、，有时对升降温度图案进行程控。
D5114	Ramp rate 升降温速度/斜坡率	系指在退火处理之加热装置中，将对象物加热之所希望温度之际，其温度之上升与下降速度。
D5115	Sinter 热压法/烧结	系指为要获得欧姆接触，所进行之热处理。多半使用于A1电极之处理。可再100-500℃之非活性瓦斯，及氢气之气氛中进行十～数十分钟之热处理.
D5116	Laser homogenizer 镭射波束均匀化机	系指可将准分子镭射(excimer laser )等高斯分布(Gaussian distribution)指波束剖面，跨于广泛围变成均匀波束强度分布之光学装置。经由光学可变焦距透镜（zoom lens），可获得任何长方形而均一波束，因此，可搭配在镭射退火处理装置内。
D5117	Lamp power control 照射灯功率控制	系指为要获得所希望之温度或膜厚，将施加于加热源之电流或电压，加以调整控制。经由控制电路之构造，使用变压器或SCR来调节所供应之功率.
D5118	Annealing uniformity 退火处理之均匀性	系指经由退火处理，所产生晶圆面内或晶圆面间之温度偏差。对于使用于热电偶来直接测试晶圆，火车试离子注入后之退火处理均匀性，可经由测试薄层电阻（sheet resistance）来求得之。
D5119	Multi cycle annealing 多循环退火处理	系指在退火处理室内，对所要处理之晶圆，连续施加多循环之退火处理。此法可经由切换温度或空气中之瓦斯种来实行，可用来控制扩散层或薄膜之构成。

编号	用语（英文/中文）	用语说明
D5120	Multi step annealing 多步骤退火处理	系指在退火处理中，将温度改变之处理方法。此法可以将扩散层或金属膜中的扩散种类的分与结合，导入所希望的状态。
D5121	Cooling stage 冷却阶段载物台	系指为要冷却退火后的晶圆到所指温度的载物台。此法有使用石英的水冷却板或直接将空气吹上去的方法。
D5122	Lamp arrangement 灯泡系列	就灯泡加热装置而言，虽然使用以棒状、球状等形状的灯泡作为光源，在此是指为实现处理性能，其所采用种种灯泡的排列方法。
D5123	Emissivity correction 发射率校正	系以辐射温度计测试晶圆之际，经由对测试值成为误差的原因，而将测试之表面状态（薄膜或粗糙镀等），就发射率的变动加以补偿校正的结构。
D5124	Oxygen concentration monitor 氧气浓度监控器	氧气浓度属于制程参数的一种，在此，是指测试反应室内氧气浓度的构造。可用来调查残留在加热空气中的氧气浓度，或在所期望氧气浓度进行热处理。

D．6 抗蚀刻处理用语

编号

用语（英文/中文）

用语说明

D6001

Resist processing equipment

抗蚀剂处理设备

系指为要在晶圆处理制程中，将晶圆加以涂敷抗蚀剂，相应或烘烤等装置之总称。这一装置可分类为涂敷、显影及烘烤等装置。

6．1 涂敷装置用语

编号

用语（英文/中文）

用语说明

D6103

Edge bead removal /E.B.R

边缘球状物去处

当晶圆表面端部与每一制程的位置确定部接触时，因抗蚀剂的缺角而产生灰尘。为避免灰尘的产生，将晶圆周边的抗蚀剂，须以溶剂加以除去之。通常之涂敷抗蚀剂完成后随即加以进行。

D6104

Elevator unit

升降机单元

系指可进行上下方向之传送、可调整输送高度的单元。经由此一单元，可将涂敷显影装置与曝光装置加以连接起来，使涂敷-曝光显影制程成为连贯性。

编号	用语（英文/中文）	用语说明
D6105	Automatic damper / exhaust for coater 自动风门/涂料气排气	系指在抗蚀剂的涂敷与显影时依从制程程序（process sequence），可自动将碗盘内的排气量加以控制的机构。此一机构从单纯将排气口加以开闭的机械方式，直到最近的数字式控制方式都有被使用。此一数字式控制也称为时序风门。
	Exhaust for developer 显影剂排放
	Sequential damper 时序风门，时序排气器
D6106	Chemically amplified resist 化学放大型抗蚀剂	系指当作抗蚀剂中的感光剂，因含有酸发生剂，经由曝光所产生的酸，对往后的热处理（PEB）将感应触媒反应，可促进对显影液之不熔化（负性型）或可溶性（正性型）的抗蚀剂。针对Deep UV，准分子(excimer)，X线及电子线曝光等，将各光源亮度的不足，拟以抗蚀剂的高灵敏度化来加以对应者。
D6107	Bowl temperature and humidity control 碗盘温度与湿度控制	系指当涂敷抗蚀剂之际，为提升晶圆间的均一性，宜将属于膜厚变动因素的温度，确保在一定。
D6108	Bowl rinse 碗盘冲洗	系指当涂敷之际，为保持碗盘内的清洁，或使保养简单化，喷出少量溶剂，可简单的加以洗涤者。
D6109	Comet appearance 彗星状模样	系指对晶圆涂敷的抗蚀剂后，在晶圆表面上显现彗星状模样者。此以情形系因抗蚀剂中的气泡或杂物所产生。
D6110	Suck back 吸回	系指在抗蚀剂涂敷装置中，为防止抗蚀剂从喷嘴口垂直滴落，将滴落及喷嘴的抗蚀剂加以吸取者。
D6111	Optical edge bead removal 晶圆边缘曝光球状物去除	系指将附着在晶圆边缘的抗蚀剂，加以去除的一种方法，为能使显影时将边缘部位的抗蚀剂加以去除，而对晶圆边缘加以曝光。与利用药液
D6112	Striation 辉纹	系指在晶圆面上涂敷抗蚀剂时，因膜厚之不均匀，在面向晶圆之周边产生放射状之不均一线状模样。
D6115	Rotation speed 自旋马达之回转数	关于自旋涂敷机（spin coater）及自旋显影机（spin developer），是指将晶圆加以旋转之马达回转数，通常以r.p.m 或rad/sec 表之。自旋涂敷时之抗蚀剂膜厚系依存于回转数，因此，回转数之安定性，对膜厚之均质性与再现性而言，是一重要因子。
D6117	Splash back 溅射回来 Mist in bowl 碗盘内雾状	系指在涂敷抗蚀剂中,从晶圆表面飞溅出去的剩余抗蚀剂,再度溅射(splash)附着在晶圆面上者.或者系显影剂喷出来时的微细滴液,干后再附着在晶圆面上者.多半成为灯丝状的残渣,可以显微镜观察它,或利用激光光的盘面检查加以观察.类同的用语有碗盘内雾状.

编号	用语（英文/中文）	用语说明
D6118	Centering 对准中心，定心	系指将晶圆的中心对准自旋转夹头上的位置.晶圆中心的偏移,将影响到自旋涂敷机对抗蚀剂膜厚均质性的主要之一.
D6120	Drain box 废液回收箱	对晶圆的抗蚀剂涂敷及显影,税经由旋转来进行.此时对晶圆使用过量而滴下的药液自然成为废液,在涂敷或显影部的直接下方加以回收的容器者.因使用有机药品需要具备有局部排气功能.有时废液不在设备下方回收,而采用排出到工厂设备或个别回收容器(装置外)的自动排放方式
D6121	Nozzle 喷嘴	系指能喷出抗蚀剂或显影液的先端部分.有不锈钢或特弗龙树脂。
D6123	Backside rinse 背面冲洗	系指在涂敷抗蚀剂时,将迂回而附着在晶圆背面的抗蚀剂,以冲洗夜将抗蚀剂加以去除的方法。.
D6124	Anti- reflection coating 防反射涂膜	系指具有吸收或衰减紫外线（UV）光的特性，为减少在曝光时产生驻波或晕光作用（halation），在抗蚀剂膜的上面或下面位置，所涂敷之膜。有时简置于抗蚀剂的上面者，称为TOP ARC ，而置于抗蚀剂下面者，称为BOTTOM-ARC。
D6125	Pre-dispense 预先配药	系指有关自旋式处理装置,在对晶圆涂敷显影液、抗蚀剂等药液之前，事先将配管中的药液排出，更换新装药液的动作。类似的用语有假配药及原始配药。
	Dummy dispense 假配药
	Prime dispense 原始配药
D6126	Micro bubble 微细气泡	系指混进在抗蚀剂或显影液的微细气泡。系由溶入药液的加压流体，因压力变化而气化者。此一微细气泡将成为涂敷偏差，或不良显影的原因。
D6127	Adhesion promoter coat / vapor primer 黏着力促进膜涂敷/气相底层涂料	系为提升抗蚀剂与晶圆的黏着力为目的，所施加的处理。特别是正性型的抗蚀剂与氧化膜的场合，其效果最为明显。通常将HMDS*(CH₃)₃ SiNHSi(CH₃)₃变成蒸汽状来涂敷的。
D6128	Chemical cabinet 化学药剂储存室	系指为供应抗蚀剂涂敷、显影等装置所使用药液（诸如，抗蚀剂、显影液、冲洗液等），将此等药液集中储存在装置内或附近的储存室。因该室有收藏有机药品，大多有安装系器排气阀。
D6129	Resist temperature control 抗蚀剂温度控制	系指在涂敷抗蚀剂之际，为提升均质性，将抗蚀剂的温度加以控制者。起设定温度，依周围空气温度与晶圆温度，以及抗蚀剂中的溶剂特性，采用最妥当温度。
D6130	Resist thickness uniformity 抗蚀剂膜厚均质性	系指表示涂敷在晶圆上的抗蚀剂膜厚的偏差。

编号

用语（英文/中文）

用语说明

D6131

Interface unit

接口单元

系进行X ,Y , Z 方向的输送，可以调整输送位阶之单元。经由涂敷显影装置及曝光装置连接，可以将涂敷（coating），保管显影制程加以一贯化。

6．2 显影装置用语

编号	用语（英文/中文）	用语说明
D6201	Developer 显影机	在抗蚀剂处理装置中，系指对晶圆上涂敷的抗蚀剂，作图案曝光后、为能将其显影的装置。依处理的方式可分为自旋（spin）式，浸渍（dip）式，喷涂(spray)式。
D6202	Spin developer 自旋显影机	系指经由将晶圆加以旋转，来进行抗蚀剂的显影、洗涤及干燥的装置。依晶圆的旋转状况可分为旋转型与静止型，这一装置由药液供应系统，自旋马达与碗盘的搭配所构成。有时因使用溶剂或苛性水溶液的不同，形式也随之而异。
D6204	Spray developer 喷涂显影机	系指将抗蚀剂加以曝光后显影之际，将显影液以泵加压，由药液供应管先端的喷嘴，可对晶圆表面喷出雾状液的装置。经常有新药液供应到抗蚀剂的表面，因而可缩短显影时间。
D6205	Developer temperature control显影液温度控制	系指将抗蚀剂加以显影之际，为提升喷涂的均质性，将显影液的温度加以控制者。其设定温度依抗蚀剂与显影液的特性，作最妥当的选定。
D6206	Developing uniformity 显影均质性	系指显影结果的均质性。就评价方法而言，有线宽均质性（CD）均质性。何谓CD均质性，通常先决定临界尺寸（critical dimension ；CD），可表示期线宽再显影后到底偏差多少？何谓膜减薄之均质性，系表示不经由图案形成（patterning）曝光而直接进行显影时，抗蚀剂膜厚之减少偏差。
D6206	C D uniformity C D均质性
D6207	Developing rate 显影速率	虽然系指显影速度，因依显影液浓度，抗蚀剂的灵敏度及曝光量而异，通常先以一定的抗蚀剂，曝光量，显影液种及浓度，来决定基准显影速度，作为显影液劣化的判断基准。
D6208	Scum 浮渣	系指在显影后，残留在晶圆开口不的抗蚀剂浮渣。此一浮渣可分为单独残留在晶圆上者，于附随而残留在抗蚀剂底部者。
D6209	Multiple interference effect 多重干涉效应	系在曝光时，对抗蚀剂的入射光，与来自晶圆的反射光，互相干涉而产生驻波。系指经由此一影响，而伴生抗蚀剂膜厚的变动，导致线宽变动现象。此一现象也称为驻波效应或摆动效应。
	Standing wave effect 驻波效应
	Swing curve effect 摆动曲线效应
编号	用语（英文/中文）	用语说明
D6210	Puddle developing 浸置式显影	系抗蚀剂显影的一种手法，利用显影液的表面张力，在晶圆上盛满显影液，将晶圆处于状态下，进行大约30~60的显影者。
D6211	Pre-wet 预先沾湿	系在喷涂显影或浸渍式显影之前，以水或稀薄的显影液喷洒晶圆表面数秒，使抗蚀剂的表面状态能适应显影液。
D6213	Dry developing 干式显影	系利用干式蚀刻法，来形成抗蚀剂图案的方法。与湿式显影方式比较，可以避免底子反射等问题。此一干式显影有如同甲硅烷基化（silylizaton）
D6214	Chemical filter 化学吸附过滤器	系指有关使用化学放大型抗蚀剂的制程中，为避免受空气中的盐基成分（特别指气）导致解像度不良为目的的空气洁净用过滤器。就其吸附方法而言，有使用与酸间的综合反应，或离子交换反应者。

6．3 烘烤装置用语

编号	用语（英文/中文）	用语说明
D6301	Baking unit oven 烘烤炉	经由对晶圆加热,为能将晶圆表面之水分加以去除,对晶圆表面所喷涂之抗蚀剂,在涂敷制程或显影制程之前后,所作加热处理之装置.因加热方式之不同, 分类成电阻加热、红外线加热及热风加热等方式。
D6302	IR oven 红外线烤炉	为要作为加热源，系以配置红外线加热器或红外线灯，来进行加热之装置。
D6303	Hot plate oven 热平板烘烤炉	系指在经过表面处理之平坦金属板上，可将晶圆加以加热之装置。通常在金属板下安装有加热器，而周边设有排气孔。
D6304	Baking temperature uniformity 烘烤温度均质性	系指在烘烤时烘烤温度之钧质性。其计算式请参阅D6130。
D6305	Chill plate 急冷板	是指在晶圆热处理后，用作冷却用之平坦金属板。平板经由循环之冷却水来冷却之。最近已有利用珀耳帖效应之电子冷却装置上市。
D6306	Post exposure pre development bake 曝光后显影前的烘烤处理	系指为减轻晶圆经单一波长曝光后经由驻波效应，导致抗蚀剂图案之变形，在曝光后显影前所进行之烘烤处理。
D6307	Dehydration bake 脱水烘烤	作为抗蚀剂处理之先前处理，系为加强抗蚀剂与晶圆之黏着性，将水分加以去除之烘烤处理。
D6308	Pre-bake 预先烘烤处理	在晶圆上涂敷抗蚀剂后，为蒸发掉喷涂膜中之残留溶剂，及强化喷涂膜与晶圆之粘着性，所实施之热处理。此一处理因在曝光后进行，宜在聚合体不致重合下，或添加物不致热分解之温度下进行。有时亦称为软性烘烤处+理。
D6308	Soft –bake 软性烘烤处理
编号	用语（英文/中文）	用语说明
D6309	Proximity bake 临近烘烤处理	有关晶圆之热处理，非将晶圆吸附在平板上，而系将晶圆与平板间经由衬垫，隔离0.1~1.5mm之间隙,靠放射热来加热之方式.
D6310	Post-back/after-back 事后烘烤处理 Hard-back 硬性烘烤处理	经由显影形成抗蚀剂图案后，为要蒸发掉残留在抗蚀剂膜中或晶圆表面的显影液，冲洗液，或强化抗蚀剂之硬化与晶圆间之黏着性，所进行的热处理。处理温度，时间亦设定在抗蚀剂图案的形状不致软化变形的范围。有时亦可称为硬性烘烤处理。
D6310	Hard-back 硬性烘烤处理
D6311	Resist curing system 抗蚀剂熟化系统	系为要将显影后之抗蚀剂图案形状，能维持到更高温度的装置。在显影后经由加热，紫外线照射或两者并用的安定化处理。
D6312	Resist thermal stability 抗蚀剂热稳定性	系在晶元上形成抗蚀剂图案时，其图案之断面形状对往后所加的热，可否维持至初期状态之何种程度，所能展示之程度。总之，所谓好耐热性，高耐热性，是指可保持图案形状至更高温度。

6．4 蚀刻剂剥离装置用语

编号	用语（英文/中文）	用语说明
D6401	Resist stripping system 抗蚀剂剥离系统	系将成为不要之抗蚀剂膜，从晶元上加以去除的装置。
D6402	Wet type resist stripping system 湿式抗蚀剂剥离系统	系将完成蚀刻（etching）的晶元片，浸在装有抗蚀剂剥离液的槽内，是晶元片上的抗蚀剂，加以剥离去除的装置。
D6403	Resist stripper 抗蚀剂剥离液	系指关于细微加工制程中，完成蚀刻后，将晶元上不再需要的抗蚀剂，加以剥离去除之溶液。此一溶液大致上可分为，将抗蚀剂氧化后加以去除之无机系剥离液。
D6404	Resist ashing system 抗蚀剂灰化系统	系可将晶元片上之抗蚀剂，在气相中加以灰化去除的装置。
D6405	Resist ozone asher 抗蚀剂臭氧灰化机	系将高浓度的臭氧，引进灰化处理，使臭氧与抗蚀剂引起化学反应，籍以进行灰化的装置。
D6406	Resist plasma ashing system 等离子体抗蚀剂灰化系统	使产生反应性瓦斯的等离子体，利用该等离子体将抗蚀剂加以去除的装置。通常，此法系使用氧气等离子气体。
D6407	Down flow asher /down stream asher 下游灰化机	系将晶元处理室与瓦斯激励室（等离子体放电室）加以分开，仅对除去荷电粒子之反应种 (radical),进行灰化之装置。
D6408	Barrel asher 圆筒型灰化机	系指批次（batch ）处理型灰化装置。将反应瓦斯引进圆筒型之石英室内，且经由施加高频功率，来进行灰化之装置。其电极形状有面对型与同轴型。
编号	用语（英文/中文）	用语说明
D6409	Photo excited ashering system 光激励灰化系统	系将反应性瓦斯引进灰化室中，以紫外线等光照射到瓦斯或晶元片上，边促进反应性瓦斯与抗蚀剂间之化学反应，边进行灰化之装置。

D．7 曝光用语

编号

用语（英文/中文）

用语说明

D7001

Exposure

曝光

系指将涂敷在晶元上之抗蚀剂，形成电路图案之过程。通常针对上一制程说星辰所形成的电路图案加以对准位置，形成次一制程的电路图案本过程通常都在柔和的黄光气氛环境下进行，因此俗称为黄光制程。

7．1 曝光装置用语

编号	用语（英文/中文）	用语说明
D7101	Optical 光对准曝光器	系从对光抗蚀剂有灵敏度的可视光挑选紫外线，来进行对准曝光之装置，就光源而言，系使用超压水银灯（g线：436nm,h线：405nm,I:365nm）或准分子雷射 (excimer laser )(XeCL:308nm,KrF:248nm,ArF:193nm)通常波长愈短，解像力愈高。
D7102	Contact-proximity aligner 密接-近接对准曝光器	系指可以1台装置选择性地，将遮光罩与晶元加以密接或近接对准之曝光装置。有时为区别对可密接曝光之装置，称为近接对准曝光器。
D7103	Projection aligner 投影对准曝光器	系为要将扫描在标线片（riticle）之图案，对准投影与晶元且使其曝光，所采用之光学投影系统之曝光装置。
D7104	Scanning projection aligner 扫描型投影对准曝光器	系经由光学投影系统，将遮光罩图案对准投影到晶元，与光学投影系统相对，将遮光罩或晶元加以同步扫描，使遮光罩图案全部曝光在晶元的曝光装置。
D7105	Mirror projection aligner 镜面投影对曝光器	系指光学投影系统主要以镜面所构成之对准曝光装置。
D7106	Projection aligner 投影对准曝光器	系扫描式镜面投影对准曝光装置之统称。
D7107	Stepping projection aligner 布进投影对准曝光器	系指针遮光罩（制版片图案）之投影像反复将晶圆加以布进曝光之投影对准曝光器。
D7108	Stepper 步进机	系布进式投影对准曝光装置之统称。

编号	用语（英文/中文）	用语说明
D7109	Lens projection aligner 透镜投影对准曝光器	系指光学投影系统由折射系统所构成曝光装置。对光学投影系统采用光学缩小系统者，称为透镜对准缩小投影曝光器。而光学投影系统采用等倍之光学投影系统者，称为透镜对准等倍投影曝光器。
D7110	Mirror lens projection aligner 镜面透镜投影对曝光器	系指光学投影系统，由反射及折射系统构成之曝光装置。此一装置有使用等倍之光学投系统只镜面透镜等倍投影对准曝光器。与使用光学缩小投影系统的镜面透镜缩小投影对准曝光器。
D7111	Step and scan projection aligner 布进扫描投影对准曝光器	系与扫描式对准投影曝光器同样之同步扫描方式，对各个镜头进行曝光，且以布进反复在同一极板上，进行多数镜头曝光之投影对准曝光器。
D7112	I_line stepper I线布进机	指采用以365nm之光（统称I线）作为曝光光源之布进式投影对准曝光器。就对应用语而言，请参阅D7148
D7113	Excimer laser stepper 准分子雷射步进机	系利用使准分子机雷射当作曝光光源之布进式投影对准曝光器。
D7114	Synchrotron radiation aligner 同步加速器放射线对准曝光器	系使用SR(synchrotron radiation )放射线来曝光之对准曝光器。
D7115	X-ray aligner X线对准曝光器	系指使用软性X 线来曝光之对准曝光器。
D7116	X-ray full wafer aligner X线整晶圆对准曝光器	系指以曝光一次来处理一片晶圆之X 线对准曝光器。
D7117	Stepping X-ray aligner 布进式X 线对准曝光器	系指反复将晶圆片加以布进曝光之 X 线对准曝光器。
D7118	Electron beam exposure system 电子波束曝光系统	系指以电子波束来曝光之曝光器。此一波束之扫描方式可分为光栅扫描(raster scan )式电子波束曝光器，与向量扫描 ( vector scan ) 式电子波束曝光器，对晶圆直接以电子波束加以描画之装置，有时称为电子波束直接描画器
D7121	Alignment 对准	系指对半导体基板上既有图案，与下一个制程之设计图案，对准于最适当相对位置关系操作。
D7122	Alignment offset 对准偏移	系指晶圆上数处对准标记位误差之平均值，与正规位置之误差。
D7123	Alignment scope 对准用双眼显微镜	系指可同时对晶圆上对准标记，与标线片(reticle )上对准标记之相距两点加以计测，且可观察晶圆与标线片XY方向之误差，与旋转误差之双眼显微镜。
D7124	Alignment accuracy 位置对准精确度	系指针对基板上既有图案，对准于下一个制程设计图案之相对位置精确度，特别指对准标记 (alignment mark) 间的位置精确度。

编号	用语（英文/中文）	用语说明
D7125	Alignment mark 对准标记	系指形成在遮光罩、标线片 (reticle )或晶圆等上，作为对准用的标记。标记的形成依标记的检测方法而议，也可成为对准标的( alignment target ).
D7126	Ion beam lithography 离子束微影术	系指使用离子束光源之曝光方法。此一方法有使用宽广的波束与遮光罩包括在内的离子束微影术，与使用聚焦；离子的直接描述法。与电子线比较质量较大，可将储蓄能量密度取大一点的优点。
D7127	Wafer alignment 晶圆对准	系指将晶圆加以微动调整来对准，或对固定在装置的基准，与晶圆位置的调整。
D7128	Inspection of dust particle on 晶圆表面灰尘检查	系指对附着在晶圆表面上的外物大小及形状等检查。
D7129	Wafer stage 晶圆载物台	系将晶圆移动至曝光位置的位置决定机构。此一机构包括，可进行XY平面内的移动与位置决定的XY 载物台，与Z方向的位置决定（聚焦），Z轴周围的旋转位置决定（晶圆 θ角）以及包括可进行决定X轴与Y轴周围的旋转位置（倾斜）的微动载物台等2 个载物台的机构。
D7130	Wafer titling 晶圆倾斜转动	系指对曝光时能的尖锐影像的平面，称为结像面，微要将此一投影透镜的结像面，与晶圆上加以平行之功能。兹将其一个范围列展示与图D_7130。
D7130	Wafer leveling 晶圆调平
D7131	Wafer surface inspection 晶圆表面检查	系指对镜面（图案形成前）晶圆表面伤痕的大小，形状，或表面介质等之检查。
D7132	Wafer rotation error 晶圆对准旋转误差	系指在曝光时因晶圆之旋转，所产生对准旋转方向之误差。
D7133	Wall angle 墙壁角	系指将光罩标线片图案，对晶圆上加以曝光描画后，有关显影所得抗蚀剂图案断面形状之侧面倾斜角。此一倾斜角，亦可称为过肩角，或锥度角。
	Shoulder angle 过肩角
	Taper angle 锥度角
D7135	Numerical 数值孔径	系指与光学系之明亮度或解像能相关量之一种。位于折射率n 之媒质光轴上之物点，若入射眼睛之半径等与估计角a时，即数值孔径NA为n sin a。
D7136	Off-axis alignment 轴外对准	系对与曝光位置不同之位置，配置对准光学系统，以便进行对准X方向，Y方向，θ方向等位置之方法.此一方法其生产量(through-put)较高。
D7137	Offset control 偏置控制	系专指对准,聚焦等之偏置调整。

编号	用语（英文/中文）	用语说明
D7138	On-axis alignment 轴上对准	系指与曝光位置在同一位置所进行的对准.生产量(through-put)较轴外对准为低.此一对准方法,可用于消除轴外对准误差.
D7139	Resolution 分辨率,析像清晰度	系指在基板上行成线宽,间隔相同之线状抗蚀剂图案时,可付之实用之最小线宽,可以下记数表之 . NA: 数值孔径。通常k₁虽以0.5作为分辨率界限来处理，在生产线即使用k₁,而研究层级即使用k₁=0.6
D7140	Overlay accuracy 重叠精确度	系指在基板上形成图案，舆下一制程进一步形成图案时之相对位置精确度。就完成图案形成制程的基板而言，图案时之相对位置精确度，与重叠精确度对应，称为全部重叠精确度（total overlay accuracy）.类似的用语有重合精密度。
D7140	Registration accuracy 重合精确度
D7141	Image field 影像图场	系指一次曝光之最大有效曝光范围。主要使用于不京师于步进式投影曝光器。
D7142	Global alignment 全晶圆对准	系在步进式投影对准曝光器中，根据对由位置信息之推断计算，将晶圆载物台（wafer stage）移至曝光位置之曝光位置对准方式。
D7143	Global tilting 全晶圆倾斜转动	系指进行包括晶圆全部在内的晶圆倾斜转动。主要作为清除晶圆全部之锥度成分为目的。类似的用语有全晶圆调平。
D7143	Global leveling 全晶圆调平	系指进行包括晶圆全部在内的晶圆倾斜转动。主要作为清除晶圆全部之锥度成分为目的。类似的用语有全晶圆调平。
D7144	Depth of focus 聚焦深度	系指可维持一定聚像性能的聚焦范围者，亦可简称为DOF,若将聚焦深度以数式可表示如下。在此， K₂_：系数，λ：波长 NA: 数值孔径。
D7145	Illumination uniformity error 照度均一误差	系指在画面尺寸内放射照度之不均一性.
D7146	Illumination system 照明系统	系指将曝光光束投于遮光罩(标线片)之装置.
D7147	Shot 每次之曝光照射	系指每次之曝光照射.此外,亦指该次的曝光所照射到之领域.
D7149	Step pitch 步进节距	系指步进式投影对准曝光器,每一次曝光移动量.
D7150	Line width accuracy 线宽精确度.	系指将线图案(line pattern)曝光且描画在晶圆上后,显影所得抗蚀剂像之线宽尺寸精确度.
编号	用语（英文/中文）	用语说明
D7151	Illumination intensity at image plane 影像面照明强度..	系有关曝光装置之曝光位置照明强度.
D7152	Die-by-die alignment 芯片间对准	系指在步进式投影对准曝光器中,对每一芯片按步所进行之调整.
D7153	Die-by-die tilting 芯片间倾斜转动 Die-by-die leveling 芯片间调平	是指在步进式投影对准暴光器中，对每一芯片按步所进行之晶圆倾斜转动。主要以清除晶圆之局部难度成分为目的。类似之用语有芯片间调平。
D7154	Multilayer mirror optics 多层镜面光学	是将二种物质互相妥予对准，所堆积之多镜面所成之光学系统。在X 线领域可得较高反射率，可使用于缩小投影术。在波长13nm，经由钼（Mo:molybdenum）与Si之多层镜面系统，可以形成50nm 之L&S图案。
D7155	Multiplayer resist method 多层抗蚀剂法	是经由涂敷，形成多层之多种抗蚀济，将抗蚀剂表面加以平坦化，籍以减少来自抗蚀剂层内部或基板表面之光、电之线之反射，或散射效应，以便提升分辨率之方法。
D7153	Die-by-die tilting 芯片间倾斜转动 Die-by-die leveling 芯片间调平	是指在步进式投影对准暴光器中，对每一芯片按步所进行之晶圆倾斜转动。主要以清除晶圆之局部难度成分为目的。类似之用语有芯片间调平。
D7154	Multilayer mirror optics 多层镜面光学	是将二种物质互相妥予对准，所堆积之多镜面所成之光学系统。在X 线领域可得较高反射率，可使用于缩小投影术。在波长13nm，经由钼（Mo:molybdenum）与Si之多层镜面系统，可以形成50nm 之L&S图案。
D7155	Multiplayer resist method 多层抗蚀剂法	是经由涂敷，形成多层之多种抗蚀济，将抗蚀剂表面加以平坦化，籍以减少来自抗蚀剂层内部或基板表面之光、电之线之反射，或散射效应，以便提升分辨率之方法。
D7158	Through-the-reticle alignment 经由标线片对准	是介由标线片（reticle）遮光罩，对晶圆上之对准标记，同时进行量测之对准。
D7159	Through-the-lens alignment 经由透镜对准	是介由投影光学系，对晶圆上之对准标记加以量测之对准。有能将投影光学系之误差加以去处之优点。
D7160	Through-the-lens auto focusing 经由透镜自动焦距	是介由投影光学系，所进行之自动聚焦。有能将投影光学系结像位置之变化，加以去除之优点。
D7161	Projection optical system 投影光学系统	是指为要将标线片或遮光罩上之圆案，以等倍或加以缩小，投影在晶圆上之光学系统。
D7162	Total overlay accuracy 总重叠精确度	是指完成所有晶圆之制程处理后，最后在晶圆上所形成全部图案间之重叠总精确度。
编号	用语（英文/中文）	用语说明
D7163	Nanometric lithography 毫微米微影术	是指将毫米(nm)领域之线宽图案，加以描画之微影术
D7164	Pulse laser exposure method 脉冲雷射曝光法	是使用KrF之准分子雷射(excimer laser)所代表间歇发光雷射光源之曝光法。为要与使用高压水银灯之i线，g线等连续发光光源所使用曝光方式，有所区别之用语。
D7165	Optical detector of particle on surfaces 表面微粒光学探测器表面付着离子测定器	是可将晶圆上微粒数与分布加以测试之仪器。从晶圆上方以雷射光加以照射，由另一角度检测来自晶圆上微粒之散射光，把它变成电气信号，同时可显示微粒位置之信息。有时也可称为表面缺陷扫描仪。
D7165	Surface scanner 表面缺陷扫描仪
D7168	Platen 标准片保持台	是为了交接将输送到之标线片（reticle）加以保持，然后将该标线片设定到光学系所指定位置之保持工具。
D7169	Pre-alignment 预先调准	是在对准之前，将调准标记移进到对准捕捉范围内之操作。
D7171	Base line 基线	是经由轴外调准机（off-axis alignment scope）所规定之对准基线，亦是该基线对准位置与暴光位置之距离。
D7172	Masking blade 遮光板，掩蔽片 Reticle blind 标线片遮掩	是指针对覆盖标线片图案之暴光范围外之遮光板。有时亦可称为标线片遮廉。
D7173	mix-and-match/M&M 混合与匹配、M&M	是指针对一个半导体装置之多数暴光制程，随着制程分开使用不同种类之暴光装置。
D7174	Line and space/L&S 线与间隙、L&S	有宽度之直线状图案称为线，线与线并列时，线与线之间隔称为间隙（space）,将线与线间隙等宽状态投影到晶圆上之像，称为线与间隙。通常，将此一图案用作显示解像性能之标准。
D7175	Run out 产生误差	使用二对对准标记来对准时，因遮光罩与晶圆倍率之差，当对准其中一对时，对另一对所产生之对准误差，或该对准之误差。
D7176	Lithography 微影术，石版应刷术	在平板印刷中作为石版术为语源，在半导体领域是指对基板上形成抗蚀剂图案之技术。
D7177	Reticle alignment 标线片对准	是指将标线片加以微调整之对准，或对准与固定在暴光器基准之标线片位置调准。
D7178	Reticle stage 标线片载物台	是指将标线片加以微调，籍以决定暴光位置之机构，同时，可将遮光罩移位至暴光位置之机构，可称为遮光罩载物台。
D7178	Mask stage 遮光罩载物台	是指将标线片加以微调，籍以决定暴光位置之机构，同时，可将遮光罩移位至暴光位置之机构，可称为遮光罩载物台。

编号	用语（英文/中文）	用语说明
D7179	Reticle holder 标线片固定器	是指针对晶圆或光学系，为要将标线片或遮光罩维持在被指定位置之固定器。
D7179	Mask holder 遮光罩固定器	是指针对晶圆或光学系，为要将标线片或遮光罩维持在被指定位置之固定器。
D7180	Reticle loader 标线片搭载器	是指可保管多数片标线片，且来回移动至曝光位置之机构。同样可保管多数片遮光罩，且来回移动至曝光位置之机构者，称为遮光罩搭载器或遮光罩更换器。
D7180	Mask loader/mask changer 遮光罩搭载器、遮光罩更换器
D7181	Reticle rotation error 标线旋转误差	是指针线对准之旋转方向误差。
D7182	Active damper 有源阻尼奇	有关半导体曝光装置，为防止底座振动等外来干扰之避震装置，在此，特别指为控制振动之驱动器（actuator），传感器（sensor）及其具有控制系统之避震装置。
D7183	Magnification correction 大气压对因应投影透镜放大率校正系统	是指对应气压之变化（利用空气折射率之变化），将其受变化投影透镜之放大率（magnification），加以补偿之机构。
D7184	Light integrator 光线积分器	是将多数小型透镜配置成二次元（如同苍蝇之复眼）之透镜组合。将光源配置在经由椭圆镜等聚光之位置，可将光源像加以分割，并在标线片（reticle）上重叠，可以将照度不匀加以消除之透镜。
D7185	Double telecentric lens 双重远心透镜	是指入射瞳孔与出射瞳孔都位在无限远之光学系，所有之主光线下不管在物体空间或影像空间，均与光轴平行，是可减轻对物体面或影像面之位置误差，及放大倍率误差影响之透镜。

D．8 蚀刻用语

编号

用语（英文/中文）

用语说明

D8001

Etching system

蚀刻系统

是将晶圆或形成在晶圆表面上之薄膜全部，或特定处所蚀刻至必要厚度之装置。

8．1 湿式蚀刻装置用语

编号	用语（英文/中文）	用语说明
D8101	Wet etching system 湿式蚀刻系统	是可在液相中将晶圆等加以蚀刻之装置总称。
D8102	Immersion wet etching system 浸渍式蚀刻系统	是将被蚀刻物浸渍在盛装蚀刻溶液之槽中，藉以进行蚀刻之装置。
D8103	Evacuated wet etching system 减压抽气浸渍式蚀刻系统	是为去除化学蚀刻所产生氢气泡沫，将蚀刻槽加以密封同时将槽内空气加以排气之湿式蚀刻系统。

8．2 干式蚀刻装置用语

编号	用语（英文/中文）	用语说明
D8201	Dry etching system 干式蚀刻系统	是可在汽相中将晶圆等加以蚀刻装置之总称。大都是利用减压下之活性瓦斯等离子来蚀刻者。
D8202	Plasma etching system 等离子体蚀刻系统	是指利用反应性瓦斯等离子体之干式蚀刻装置，该晶圆之电位顶多只能达到浮游电位之蚀刻装置。主要是以中性活性种之作用，来进行蚀刻。
D8203	Down stream plasma etching 分离型等离子体蚀刻系统	是指将等离子体产生室与蚀刻室加以分开，而将等离子体产生之较长寿中性活性种，输送至蚀刻室将晶圆加以蚀刻之等离子体蚀刻装置。
D8204	Barrel type plasma etching system 圆筒型等离子体蚀刻系统	是在圆筒型蚀刻室之外围装设电极，经由蚀刻室内等离子体所产生中性活性种，将室内之晶圆加以蚀刻之等离子体蚀刻装置。亦有在蚀刻室内置入金属制隧道，及藉以控制核电粒子入射到晶圆之方法。
D8205	Reactive ion etching system/RIE system 反应性离子蚀刻系统/RIE系统	是指利用反应性瓦斯等离子体之干式蚀刻装置，是将晶圆放置于设置在蚀刻室内之电极上，加以进行蚀刻之装置。晶圆是藉以中性活性种与反应性瓦斯离子之相乘效应来进行蚀刻。
D8205	Reactive sputter etching system 反应性溅镀蚀刻系统
D8206	Parallel plate reactive ion etching system 平行板反应性离子蚀刻系统	是在蚀刻室内备有一对之平行板型电极，将高频电压施加于电极一侧，另一侧电极连接到接地电位，且将晶圆放置于任何一侧电极上，藉以进行蚀刻之反应离子蚀刻装置。
D8207	Hexode type reactive ion etching system 六角柱型反应性离子蚀刻系统	是指将六角柱状高频电极装设于蚀刻室内，且在这些电极上固定晶圆，以便进行蚀刻之反应性离子蚀刻装置。
D8208	Narrow gap reactive ion etching system 狭窄间隙反应性离子蚀刻系统	是指电极间隙较狭窄（5～10mm）之平行板型反应性离子蚀刻装置。因在较高高压领域进行瓦斯放电，可获得高离子电流。
D8209	Triode reactive ion etching system 三极型反应性离子蚀刻系统	是在蚀刻室内设置，可放置晶圆之一对电极外之第3电极，将此一第3电极之电极之电位加以独立控制，可做到控制蚀刻特性之反应性离子蚀刻装置。有时可将第3 电极定为浮游电位之场合，与施加直流电压或高频电压之场合。
D8210	Magnetron enhanced reactive ion etching system 磁控管增强型反应性离子蚀刻系统	是指备有产生磁场领域，因利用在晶圆表面上所形成直交电磁场，来进行磁控管放电而产生等离子体（plasma），以便进行蚀刻之反应性离子蚀刻装置。
D8211	Reactive ion beam etching system/RIBE system 反应性离子束蚀刻系统	是指经由反应性瓦斯以离子源产生等离子体，然后将反应性瓦斯离子及中性活性种，照射在与离子源独立载物台上之晶圆，以便进行蚀刻之装置。

编号	用语（英文/中文）	用语说明
D8212	Magneto-microwave plasma etching system 磁场微波型等离子体蚀刻系统有磁场	是使用经由微波与磁场所产生高密度等离子体为离子源，生成反应性瓦斯离子与中性种，且将其照射到晶圆加以蚀刻之反应性离子束蚀刻装置。
D8213	Electron cyclotron resonance etching system 电子回旋加速器共振蚀刻系统	是利用电子回旋加速器（ECR）共振，来蚀刻晶圆之磁场微波蚀刻装置。
D8214	Helicon etching system 螺旋波蚀刻系统	是经由沿着磁场传播而属于一种磁场波之螺旋波，与电子之与互相作用（随机衰减），而利用该无规则衰减所生成等离子体，以便进行蚀刻之等离子体蚀刻装置。
D8215	Helical etching system 螺旋型蚀刻系统	是以感应耦合型天线耦合到围绕在螺旋状电介体等离子体生长室周围线圈之感应耦合型等离子体蚀刻装置。
D8216	Inductively coupled plasma etching system 感应耦合型等离子体蚀刻系统	是经由高频感应磁场所产生感应电场来加速电子，利用此一加速电子所生成等离子体（plasma）之等离子体蚀刻装置。感应耦合天线之形状有螺旋状线圈与平板状线圈。
D8217	Ion beam etching system 离子束蚀刻系统	是将离子源保持在电位状态，利用非活性瓦斯来产生等离子体，再由离子源引出非活性瓦斯离子照射在晶圆，以便加以蚀刻之装置。此一装置有时亦可称为离子铣削机。
D8217	Ion milling system 离子铣削系统
D8218	Photo excited etching system 光激励蚀刻系统	是指反应性瓦斯引进蚀刻室内，经由紫外线或可视光照射瓦斯或晶圆，藉所产生活性种离子，来进行蚀刻之装置。
D8219	Aspect ratio 纵横尺寸比	系指被显影之抗蚀剂膜，或蚀刻在晶圆上所形成之图案，其深度与宽度之比值。纵横尺寸比＝b/a
D8220	Post-treatment chamber 后端处理室	是指位在同一装置内，在主蚀刻制程后之晶圆处理室。后端腐蚀对策之处理室即系此一范例。
D8221	After-corrosion 后端腐蚀	系指蚀刻时附着在晶圆之氯气或反应生成物，与大气中之水分反应，因而在蚀刻后会对AI配线，产生腐蚀之现象。
D8222	Under-etching 蚀刻不足	系指被蚀刻材料，在被蚀刻途中停止蚀刻或已停止之状态。
D8223	Undercut 切割不足，蚀刻不足	系指当被蚀刻材料正进行蚀刻时，系从蚀刻这光罩之端部向侧面方向进行，被蚀刻材料之图案宽，较蚀刻遮光罩宽减少之状态。此一蚀刻不足现象，特别在溶液蚀刻或以基为主体之等离子体蚀刻时最为显著。对微细图案之形成而言，要作到减少蚀刻不足系一件重要技术。
D8223	side etching 侧面蚀刻

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D8224	anisotopic etching 各向异性蚀刻，费等向性蚀刻	系指深度方向之蚀刻速度，较水平方向之蚀刻速度为大之场合，亦就是蚀刻速度具有方向依存性者。
D8225	Cathode coupling 阴极耦合	系指在一对之电极中，对设置有晶圆之电极施加高频电压，而另一电极接到接地电位。
D8226	Etch back 回蚀	为要能形成于晶圆上凹凸，加以掩埋涂上一层薄膜，再经过将此薄膜加以全面腐蚀，使晶圆表面平坦化之方法。此一回蚀可使用于层内绝缘膜之平坦化或接点之掩埋等。
D8227	Exposed area ratio 蚀刻面积率，曝光面积率	系被蚀刻面积与晶圆全面积之比率。
D8228	Etch uniformity 蚀刻均质性	系指被蚀刻材料蚀刻速度之参差不齐。对晶圆内之均质性而言，通常如图D-8228所示，从包括晶圆中心等n个测试点相关之蚀刻速度，利用其最大值，最小值或偏差求得次式之均质性。
D8229	Etch residue 蚀刻残余物	系指残留在被蚀刻晶圆上之物质。就其生成原因而言，系以等离子体聚合物等低挥发性之反应生成物，溅射分解物，或被蚀刻材料中之低挥发性物质等为核所生成者。这些残渣不仅成为污染或腐蚀之原因，有时亦会给予组件电气特性不良影响。
D8230	Etching chamber 蚀刻处理室	是指处理蚀刻之真空室。一般而言，亦可称为处理室，反应室或处理腔。
D8231	Etching end point detection 蚀刻终点检测	系指可自动检测蚀刻之终点..其检测方法有下列方法。 (1) 光分析法 (2) 光学反射法(雷射干涉法) (3) 质量分析法 (4) 阻抗监控法 (5) 压力监控法 (6) 探针法 (7) 红外光吸收法
D8232	Etch selectivity raito 蚀刻选择比,蚀刻选择性	系制被蚀刻材料之蚀刻速度,与蚀刻遮光罩材料及底子材料之蚀刻速度间之比值。蚀刻选择比=a/b a:被蚀刻材料之蚀刻速度。 b:蚀刻遮光罩材料与底子材料之蚀刻速度。
D8233	Etch rate 蚀刻速率	系指被蚀刻材料之厚度或深度,以时间除之商。
D8234	Over-etching 过分蚀刻	系指蚀刻较被蚀刻材料之期望膜厚为多者，或在其状态者。

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D8235	Activated species 活性种	系吸收光或热能后被激励至高能状态，较易引起化学反应状态之原子或分子。请参考cf.14 JIS。若对蚀刻瓦斯施加高频波或微波时，将在等离子体中产生活性种，此等活性种经与被蚀刻膜反应，而进行蚀刻，有时称为基(radical),或游离基。
D8235	Radical 基
D8236	Substrate cooing mechanism 基片冷却机构	为防止基片温度之上升，将载物台以冷却水等媒体加以冷却，使放置与载物台之基片被冷却之机构。为要提升冷却效率，对基片背面流通氦气等瓦斯，或为使基片与载物台间之紧密性增高，有时以机械式或电气式加以钳子。
D8237	RF electrode 高频施加电极	为要产生等离子体(plasma).系指需要施加高频电压之电极，一般而言，系指阴极。
D8238	RF generator 高频产生器	系指当作等离子体放电之激励电源。其最常用之谐振频率为13.56MHz。通常与耦合组件配合使用。
D8239	Seasoning 陈化处理	是在蚀刻室之清净或更换零件后，为要稳定制程条件，使用仿真（dummy）晶圆进行数次之蚀刻循环。
D8240	Automatic pressure control 自动压力控制	是指将处之压力置于自动控者。目前最普遍使用者，是将处理之瓦斯流量保持一定，压力控制置于回授，而排气系统之电导（conductance）通常置于自动调整之方法。较简易之方法，是将排气系统之电导保持不变，而改变瓦斯流量以便控制处理室之压力。
D8241	Just etching 适量蚀刻	是指蚀刻洽到被蚀刻材料厚度等量者，或在其状态者。
D8242	Step etching 阶段性蚀刻	是指在蚀刻途中，将操作条件作阶段性改变来处理者。
D8243	Sputter etching 溅射蚀刻	是指经由非活性瓦斯之溅射效应之蚀刻。此一方法大都使用于金属沉积之前站处理，或凹凸部之平坦化处理。
D8244	Pattern shift 图案偏移 Critical dimension loss 临界尺寸损失	如图Ｄ－８２４４所示，从蚀刻前之蚀刻遮光罩线宽Ｗ１，减去已完成被蚀刻材料之线宽Ｗ２或Ｗ'２之值，可由下式求得之。图形偏移＝Ｗ１－Ｗ２　Ｗ１－Ｗ'２
D8245	Ground etctrode 接地电极	是指高频波电极相对称所设置之电极。一般而言。是指阳极谓之。
D8247	Sidewall protection layer 侧壁保层	是指抗蚀剂之分解物或反应生成物所生成，用来防止对侧壁之侧边蚀刻薄膜层。
D8248	Taper etcing 锥角蚀刻	是对配线图案或电极等断面形状进行具有倾斜状之蚀刻作用，或具有该状态者。

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D8249	Low temperature etching 低温蚀刻	为要获得垂直图案形状与高选择，是一比较通常之干式蚀刻处理温度为低（0。C以下），加以处理之蚀刻。
D8251	Isotropic etching 各向同性蚀刻，等向性蚀刻等	是指水平方向与深度方向之蚀刻速度，几乎相同之蚀刻作用。
D8252	Trench etching 沟渠蚀刻	是指能在晶圆表面形成微细沟渠之蚀刻。此法通常可用来形成件分离层及电容器膜。
D8253	Plasma contamination 等离子体污染	是指在等离子体中所引起之污染，对其污染物之生成原因，不仅仅具有与蚀刻同样之残渣，甚至包括从构成装置材料之重金属，Na+等碱离子。此一污染可分为对晶圆表面之沉积，于混进晶圆内部二种。
D8254	Plasma damage 等离子体损伤	是受到等离子体照射之损伤。此等损伤大致可分成下述3种类。（1）被产生在电极附近之离子层（ion sheath）所加速之电子，碰撞到晶圆片所形成对被蚀刻表面之结合破坏。（2）随着放电所产生等离子体中，因特定波长照射到晶圆，所引起之所谓照射损伤。（3）因等离子体中荷电粒之储蓄，对绝缘膜（闸极氧化膜等）之静电破坏。
D8255	Bowing trench 沟壁内凹	是指对硅晶施行沟渠蚀刻中，由于侧面方向之蚀刻在进行时，在侧壁形成内凹状态者。此一沟壁内凹对下一制程由CVD法来掩埋，将产生下良影响。
D8256	microloading effect 微型加载效应	是指随着洞穴口径或沟糟宽度变小,蚀刻速度亦跟着下降之现象.在很多之场合,用语栏之日文两语虽当作同意语使用,若同一尺寸之图案有不同密度存在时,蚀刻速度有差异之现象,有时可称为微型加载效应.
D8257	magnetron 磁控管	是由当作空腔谐振器动作之圆筒状阳极,与在该中心轴上设置有微细阴极所构成,经由阳极中心轴方向之静磁场,与反应作用空间内电子间之互相作用,可以产生微波谐振之真空管,而称为磁控管.
D8258	magnetron discharge 磁控管放电	是指位于真空中之正交电磁场中，电子在阴极上经由作余摆线（trochoid）运动，而在阴极附近空间产生高密度等离子体之谓。
D8259	matching unit 匹配单元 matching box / matching network 匹配箱 / 匹配网络	是随着等离子体状态之变化.放电中之阻抗亦会随之变动,因此设置有调谐电路,使针对所施加高频波输出,藉以调整阻抗使反射波抑压在最小值之阻抗匹配单元通常都配置在高频波电极附近。有时称为匹配箱，或匹配网络。
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D8260	anode coupling 阳极耦合	在成对之电极中，将设置有晶圆之电极接到接地电位，而另一电极即施加高频电源，称为阳极耦合。
D8261	loading effect 加载效应	是指蚀刻速度显示有蚀刻面积依存性者，一般而言，蚀刻面积越增加，蚀刻速度会越低落之现象。
D8262	surface wave plasma 表面波等离子体	是指经由感应在等离子体表面上之表面波，所生成等离子体区之等离子体。其典型者，是沿玻璃管所生长尺寸之等离子体。最近，对于大面积等离子区之生长，正尝试能适用于表面波等离子体。此外，经由可传波在电介体线路表面波之漏泄电场，所生成等离子体，有时可称为表面波等离子体。
D8263	antenna ratio 天线比	是指有关MOS装置构造，在蚀刻中露出在等离子区之布线，其荷电粒子所流入部分之总面积S，与连接到此一布线闸极电极之面积Sg之比S/Sg，所表示之无次元量。此一天线比，可作为评价闸极氧化膜因储蓄电荷(charge up)而导致可靠性劣化时之指针。
D8264	Self-aligned contact etching 自我对准接触孔蚀刻	是利用针对氧化膜所能实现高选择比之停止器（stopper）绝缘膜，对布线层能自我对准将接触孔（contact hole）加以开口之技术。即使有对准偏差或抗蚀剂加工时之参差不齐，可确保接触面积之稳定。
D8265	Time modulation etching 时间调制蚀刻	是指将等离子体之产生，或偏压功率之ON/OFF等，以从微秒（us）至毫秒（ms）之等级，藉调制时间来蚀刻之方法。
D8266	Electron shading effect 电子遮掩效应	针对离子之垂直入射，电子可以倾斜入射，因此，在抗蚀剂图案之侧壁储蓄电荷成负性，而在较密图案部受此一负电荷之排斥，较低速之电子无法进入图案底部之现象。
D8267	Notch 凹口,凹槽	是指在高纵横尺寸比（aspect ratio）图案之底部或异种材料间之接口对横方向所产生之局部蚀刻异常形状。

D．9 洗涤用语

编号

用语（英文/中文）

用语说明

D9001

Cleaning equipment

洗涤装置

是将位在晶圆表面之粒子，有机物或金属表面杂质等污渍，以液体或气体洗涤剂之化学作用，与各种物理能量合并使用，藉以去除污渍之装置。，

9．1 湿式洗涤装置用语

编号	用语（英文/中文）	用语说明
D9101	Wet cleaning equipment 湿式洗涤装置	是指使用药品溶液、有机溶媒或水等液体，来进行洗涤之装置。对于会产生有害药品或溶媒之洗涤装置，为不致将蒸气扩散到室内，装设有排气罩（hood）。此外，为对应于药液使用耐酸塑料，对应于有机溶媒使用不锈钢作筐体材料。装置专用之风扇过滤器单元可分为顶棚备有与没有风扇过滤器者2种。
D9101	Wet station 湿式洗涤站
D9102	Single station cleaning equipment 单站洗涤装置	进行洗涤处理之场所（指槽或处理杯），仅有一个之装置。
D9103	Brush scrubber 刷子擦洗机	是对旋转之刷子边浇洒洗涤液，边将清洗面压着移动，将晶圆表面附着物加以洗涤之装置。对刷子之形状有圆筒型与茶杯型，而对刷子材料有植毛与泡棉等。此一擦洗刷子除了使用于晶圆涂敷抗蚀剂前之除尘外，最近积极采用于去除晶圆背面之污渍。有仅处理单面与两面同时处理之装置。
D9104	High pressure jet spray 高压喷射喷雾机	是从喷嘴加压驱使液体洗涤剂，以高速喷射出去且利用其力道，将附着在晶圆表面外物加以剥离流掉之装置。
D9105	Ice jet cleaning equipment 冰粒喷射洗涤装置	是指将超纯水以液体氮气冷却至-50℃，将该被冻结成0.1~300um之微粒冰，经由N₂瓦斯喷射到洗涤对象物表面，藉以进行洗涤之装置。经由冰粒子之冲击力，摩擦力效应及低温效应等，将硅晶圆表面上之微粒子，加以去除是很有效的。亦可称为冰粒洗涤装置。
D9105	Ice cleaning equipment 冰粒洗涤机
D9106	Ultrasonic cleaning eqipment 超音波洗涤装置	是将超音波照射于浸渍在洗涤槽中洗涤物之洗涤装置。
D9107	Cemtrofigal spray cleaning equipment 离心喷雾洗涤装置	是指对搭载于旋转中旋转器(rotator)之洗涤物，从旋转中心轴喷雾洗涤液，藉以达到清洗之装置。可藉将洗涤液输送部之切换阀自由变更，而不致改变洗涤物之状态，可完成一连串之洗涤处理。
D9108	Direct displacement type cleaning equipment 直接置换式洗涤装置直接置换式洗净装置	是用多种洗涤液来清洗晶圆时，可经由单一槽将A液，纯水，B液纯水……等之次序，能将后液完全置换前液来供给，而不致使晶圆表面接触到空气，可进行一连串之洗涤处理之洗涤装置。与一般之洗涤装置有所不同，仅使用一个洗涤槽，因而有不占装置安装之优点。
D9109	Multi-station cleaing equipment 多处理站洗涤装置	是指进行洗涤处理之场所，有多数个之洗涤装置。

编号	用语（英文/中文）	用语说明
D9110	Multi-bath wet cleaning equipment 多槽浸渍式洗涤装置多槽浸渍式洗净装置	是指有多数个槽并排,而将洗涤物顺序输送至另一槽,可浸渍于不同药液之洗涤装置。
D9111	RCA cleaning method RCA洗涤法 RCA洗净法	于1970年由美国RCA公司所提倡,依下列制程及组成所成之硅晶圆之洗涤法. (1) 氨气:过氧化氢:水之容积配合比＝1：1～2：5～7之洗涤液（SC-1液，原名Ammonia-Hydrogen peroxide Mixture,略称APM液），保持在75～85度，并进行10～20分钟之浸渍处理。本洗涤液可去除有机性污渍，以及附着在晶圆上之粒子。 (2) 氟酸水溶液（1:99之稀释液，原名Diluted Hydrofluoric acid,略称DHF液），保持在室温，进行数十秒之浸渍处理。可用来去除硅氧化皮膜。盐酸：过氧化氢：水之容积配合比＝1：1～2：5～7之洗涤液（SC-2 液，原名Hydrochloric acid-Hydrogen Peroxide Mixture,略称HPM液），保持在75～85度，进行10～20分钟之浸渍处理。可用来去除表面金属杂质。
D9112	Inline heater 管线群加热器	是为进行加热药液清洗或加热纯水冲洗，在供应配管或循环过滤配管之中途，边流入药液或纯水，边可以加热之装置。可以避免在处理槽内使用投入式加热器。
D9113	Wafer group closing mechanism 晶圆群靠拢机构	在无匣盒湿式处理中，为要将50片晶圆一并加以处理，在装载晶圆时从位置分离之盒中，抽取25片晶圆群2组，如同从50片用盒抽取一样，时该2组靠在一起。而以机械人夹头（robot chuck）挟持之机构。亦有将25片晶圆加以挟持之夹头2组靠在一起，将50片晶圆一并输送之方式。此一方式可促使洗涤槽小形化。
D9114	Air seal type clean draft chamber 密封式洁净通风室	对于将洁净空气之向下流动，与向外界排气之风量，加以平衡之洁净通风室中，在通风道之上部形成洁净空气又小风量之水平层流，能将药品蒸汽迅速加以排出之通风系统。即使将向下流动之风量减低到通常之1/3程度，亦能保持洁净度，因而能大幅减低排气风量，而对洁净室之省能源化有所帮助。
D9115	Over flow rinse 溢流冲洗	是将水流由加工物（work）之下方往上方流动，而由槽之上面平均溢流之冲洗方式。

编号	用语（英文/中文）	用语说明
D9118	Cassette cleaning equipment 输送匣盒洗涤装置	是将附着在晶圆输送匣上之污染粒子，加以清除之装置。
D9119	Cassetteless wet cleaning equipment 无盒湿式洗涤装置	是从输送匣盒将全部晶圆一并夹住抽取出来，经由槽间之自动输送机构，仅能将晶圆分批浸渍洗涤之装置。由于不使用输送匣，有处理槽尺寸之缩少，全部装置之省空间化，减少洗涤液使用量，可防止来自输送盒之逆向污染，可减少洗涤液被挟带出来之量，以及可提升洗涤效率或冲洗效率等很多优点。
D9120	Carry over 挟带	是指在药液浸渍洗涤中，附着在晶圆或输送匣盒上之药液，被挟带到下一个药液槽者。被渗透到PFA制输送盒之药品，辗转在其它槽渗透出来，或在保管容器中蒸发之现象。此一现象将对药品或保管晶圆构成污染之原因。
D9121	Chelating agent added cleaning chemical 添加螯合剂洗涤药品	是指在晶圆处理时，为不至于使洗涤液中之重金属杂质，污染吸附在晶圆表面，而添加螯合剂之药品。例如市面上出售之SC-1液用之氨水，即为一个范例。若以此一药品调剂之SC-1液所清洗之晶圆，较使用一般药品时其受Fe或A1等污染量少很多，因而可省略以SC-2液之清洗制程。
D9122	Quick dump rinse 快速倾卸冲洗	是对水洗槽进行急速排水与供水交互数次之方法。
D9123	Clean draft chamber 洁净通风室	是指具有HEPA过滤网与排气通风管道，可在洁净气氛中进行药品处理，而可加以隔离之场所。
D9124	Hot acid circulation and filtration system 高温酸液循环过滤系统	是指被设计能耐160℃高温酸液之循环过滤装置。对泵浦，阀或过滤器等构成零件，采用PTFE，PFA等材料，具有对热应力有充分考量之构造。
D9125	Choline-based cleaning solution 柯林基体洗涤液	是以柯林Choline[trimethy1（2-hydrooxiethy1）ammonium hydrooxide]为主剂之晶圆洗涤液。混合非离子表面活化剂之液体对重金属之洗涤性，混合H₂O₂之液体对微粒子去除性，较RCA洗涤液为优，其一部分已付之实用化。有时将添加表面活化剂与甲醇（methanol）之柯林液洗涤，特称为Summa clean。
D9126	Surface contamination 表面污染	是指在晶圆表面附着有对加工精确度，或装置特性有不良影响之物质谓之。除了附着在晶圆表面之微粒，有机分子，金属杂质外，最近又将自然氧化膜包括在洗涤对象名单内。
D9127	Cycle time 循环时间	在多槽式自动输送洗涤系统中，是指从加工物装载到洗涤处理完毕卸载为止之时间。
D9128	Numbers of unremovable particle 残留粒子数	是指镜洗涤处理后，尚残留在晶圆表面上之粒子数。

编号	用语（英文/中文）	用语说明
D9129	Cleaning after CMP CMP后之清洗 CMP洗净	在被采用作层间绝缘膜平坦化技术之CMP中，是指为去除会污染晶圆表面研磨同泥状研磨微粒之后端洗涤处理。此一洗涤处理可利用到磨刷洗涤（brush scrub cleaning），超高频波带之超音波喷洗，药液喷洒洗涤等法。对氧化膜以外，对金属或多结晶硅之CMP平坦化处理后之洗涤，亦加以检讨中。
D9130	Crystal originated particle 结晶起因之微粒 COP	若将Si之CZ结晶晶圆以SC-1加以洗涤时，经由表面检查装置，宛如有0.1-0.2um之微粒存在，会呈现有微小坑（pit）被计算。对通常之光散射方式装置无法识别之真实粒子，称为COP。依结晶上拉条件之不同，产生比例受到影响，由反复以SC-1溶液加以洗涤，COP一直会增加来看，COP可被考量是一种结晶缺陷之蚀刻痕迹。
D9131	Native oxide iayer 自然氧化膜自然酸化膜	是指将晶圆浸渍于氧化性药液（例如APM液）或纯水中处理时，会在晶圆表面生成1nm程度之SiO₂薄膜。若将晶圆长时间放置于潮湿空气中亦会形成。
D9132	Bath with filter circulation solution 循环过滤式洗涤槽	是指具有经常将药液以过滤器，加以循环过滤功能之洗涤槽。
D9133	Hydrogen termination 氢终结化	是指晶圆最外表面之Si原子与氢结合而安定化，成为疏水性表面之状态。将硅氧化膜以氟酸水溶液处理后虽会产生此一氢终结化，有时产生不是很完全，此时经由时间经过会形成自然氧化膜。
D9134	Under water conveyor 水中输送机	是可在水中输送洗涤物之装置。
D9135	Quartz tube cleaning equipment 石英管洗涤设备	是指扩散处理或CVD法所使用石英管之洗涤设备。此一设备有竖立型与横卧型2种，一般可进行蚀刻（使用氟），水洗及干燥等处理。
D9135	Furnace tube cleaning equipment 炉心管洗涤设备
D9136	Zeta potential Z-电位	是位于固体与液体之接口电位差中，经由导电现象可量测到之滑动面电位。在清洗中，为防止粒子附着在晶圆表面，拟使晶圆与微粒间有互斥动作，经由调整溶媒之PH值或添加表面活性剂，将晶圆及微粒之电位，调整到同符号之接近值为最有效。
D9137	Cleaning tact timing 洗涤流程时间	是指洗涤物备洗涤后顺序间歇地由装置输送出来时之间隔时间.
D9138	Cleaning evaluation 洗涤评价	是调查从洗涤物除去污染程度之评鉴。
D9139	Bath to bath transport time 槽间输送时间	是指从湿式洗涤装置之此一槽至下一个槽,将洗涤物搬运所要时间.
编号	用语（英文/中文）	用语说明
D9140	Chuck cleaning mechanism 夹盘洗涤机构	是将浸渍在药液之输送用夹盘，在下一个挟持动作之前，为要去除附着在夹盘之药液，进行水洗与干燥之机构。水洗之方法有使用喷水者，与浸渍于溢流冲洗槽内者。然后再以N2干燥空气加以吹干。
D9142	Ultrasonic spray cleaning equipent 超音波喷洗洗涤设备	是指边施加超音波振动，边将洗涤振动，边将洗涤液对准被洗涤物加以喷洗之洗涤装置。与单纯之喷洗比较，有提高洗涤力之效果。
D9146	Surface cleanliness 表面洁净度	是指以存在于晶圆表面少许污染物之定量测试值，来表示干净表面之洁净程度。例如对微粒污染而言，是以指定粒子经以上之微粒，在每1cm²之附着数，对表面金属杂质而言，是指每1cm²之原子数，对有机分子污渍而言，是以每1cm² 之重量值或表面覆盖度来表之。
D9147	Hydrofluoric acid hydrogen peroxide mixture cleaning solution 氢氟酸过氧化氢混合洗涤液	是指对0.5%氢氟酸以1-10%之过氧化氢，加以混合之洗涤液，取其英文冠头字，而简称为FPM液。不受来自氢氟酸单独洗涤成为问题排污之铜污染，经由室温之浸渍处理，可实行去除晶圆表面之氧化膜与金属污染。对洗涤面亦不会形成自然氧化膜。
D9148	HF added pure water 添加氢氟酸纯水	是指添加5-10ppm氢氟酸之纯水。若使用此一添加HF之纯水，来清洗以氢氟酸来处理氧化膜去除后之晶圆，与使用单纯之纯水来清洗晶圆作一比较，前者对晶圆在清洗中或保存在大气中，对自然氧化膜之成长有显著之抑制作用。此外由于氢氟酸之杀菌力，亦可防止微生物在纯水系统中生长。
D9149	Process cup 制程杯状容器	是指在刷子擦洗机（brush scrubber），高压喷射洗涤机，喷洗式蚀刻机中，可进行洗涤等处理之杯状容器。
D9150	Microroughness 微型粗糙度	在SI晶圆之镜面亦会形成节距在100-1000nm，高度在数nm以下之凹凸。此一层级之凹凸，称为微型粗糙度，会受晶圆之研磨条件，结晶方位，SC-1洗涤条件之影响。若微型粗糙度增大，将会影响薄闸极氧化膜耐压特性之下降，为抑制此一缺失，将标准组成之NH4OH 比，宜定在数分之一以下来洗涤。
D9151	Megasonic cleaning equipment MHz超音波洗涤设备	是指使用800KHZ至1MH频带超音波之洗涤装置。就超音波洗涤而言，因不会产生洞蚀现象（cavitation），且能将强大振动加速授予水分子，不致损伤到晶圆又能去除次微米（submicron）级之微粒。

编号	用语（英文/中文）	用语说明
D9152	Chemical regenerator 药液再生器	是指将洗涤等处理所使用之药液废液，经过过滤蒸馏及离子交换等加以精制，使其能再利用之装置。诸如硫酸，氢氟酸等之再生器已付之实用化。
D9153	Chemical storage tank 药液储存槽	是指将药品或洗涤液储存到使用为止之槽。
D9154	Chemical filter 药液过滤器	是指为使能将药液中杂质微粒加以过滤，以抗药品性材料作成空质膜或外科（housing）之过滤器。对半导体已使用氟化物树脂（fluorideresion），对加以过滤之粒子经，多使用相对应经控制之多孔质膜。
D9155	Automatic chemical diluting and mixing equipment 药品自动稀释混合设备	是指为要调制蚀刻液或洗涤液，对药品之稀释或将数种药品自动加以混合之设备。过氧化氢族系洗涤液，因在使用前有加以调制之必要，都编入在洗涤设备中，而氢氟酸蚀刻液因非常安定，可使用本设备大量集中起来且稀释到一定值，可供应到各使用场所。
D9156	Sulfuric acid hydrogen peroxide cleaning 硫酸过氧化氢洗涤	是将浓硫酸1容积对过氧化氢水0.25-1容积之混合液（surfuric acid-hydrogen peroxide mixture,简称SPM液），加热到130前后，用来进行抗蚀剂剥离，去除有机性污渍或表面杂质等洗涤。有时可称为piranha cleaning。
D9156	Piranha cleaning 白骨化洗
D9157	Liquid spill sensor 液体溢流传感器	是指为要侦测从洗涤装置或蚀刻装置等储存槽、配管，有否药液或洗涤水泄漏等传感器。一般而言，都使用经由液体泄漏可检测出电气容量变化之传感器。
D9158	Robotic transporter 机械人输送机	是指经由微处理器控制，可将被洗涤物在洗涤装置内自动加以输送之机械人输送机。
D9159	Single wafer processing cleaner 单晶圆加工洗涤机	是指将晶圆逐片加以洗涤处理之装置，与成批(batch)式相对，而称为单片式。其洗涤方法有例如喷雾之湿式处理方式，或气相洗涤处理方式。本方式适合于300mm以上大口径晶圆之洗涤。
D9160	One bath type cleaning equipment 单槽型洗涤设备	是指一个洗涤槽/室，可顺次进行多数之洗涤处理之装置。虽因装置所占面积较小最近受到青睐，反面生产能力（through-put）将下降。
D9161	Electrolytic ionized water /electrolysis-ionized water 电解电离水	若对纯水或溶有微量电解质之加水加以电解时，从阳极（anode）室可得酸性又是强氧化性之水，从阴极（cathode）室可得碱性又是强还原性之水。据云，电解阳极水对Si表面污染金属之去除，电解阴极水对附着在Si晶圆表面上微粒子之去除，其效果特别好。

编号	用语（英文/中文）	用语说明
D9162	Total room temperature wet cleaning process 全室温湿式洗涤处理	是指全工程可在室温加以处理之洗涤处理。本处理具有下述：（1）仅能在臭氧，HF，H2O2接口活化剂之低浓度使用。（2）药液蒸汽之产生较少，且不需药液管理其排气量也能削减。（3）省能源，省资源。（4）环保对策容易等特征。
D9163	Parallel downflow rinse 并行下流冲洗	从浸泡槽之上方并行供给纯水，通过设在底部之多孔板，经由同一流量以泵排水，使槽内形成均一流速分布之下降流冲洗方法。此一冲洗法水很容易流过狭窄之晶圆间隙，因不致在槽内生成滞留部，可获得高效率之冲洗。
D9164	Spin cleaner 自旋洗涤器	是指边将晶圆加以旋转，边将纯水或药液洒在晶圆上，将其逐片加以洗涤之装置，有时可同时使用刷子擦洗机（brush scrubber）或超音波喷雾器。

9．2 干式洗涤装置用语

编号	用语（英文/中文）	用语说明
D9201	Dry cleaning equipment 干式洗涤设备	是指不用液体可将被洗涤物表面之污渍加以去除之装置。
D9202	Photo-chemical cleaning equipment 光化学洗涤设备	是指以比200nm更短波长之光，照射含有氧气空气之污染面，可将洗涤物表面之有机污染物，经氧化分解加以去除之装置。诸如UV臭氧洗涤及紫外线臭氧洗涤等装置都属此一类。
D9203	Vapor phase cleaning equipment 汽相洗涤设备	是将化学药品蒸汽或瓦斯，以非活性瓦斯稀释后送入反应室，促使洗涤物表面污染物，变成易于气化之反应生成物，然后加以去除之装置。
D9204	Plasma cleaning equipment 等离子体洗涤设备	是利用氧化性或非氧化性瓦斯，所产生等离子体来加以洗涤之装置。
D9205	HF vapor cleaning equipment 氢氟酸蒸汽洗涤设备	是经由共沸点氢氟酸或氟化氢与乙醇之共沸点混合液所产生蒸汽，将硅晶圆表面之自然氧化膜，加以去除之装置。特别用作成膜制程前之处理。
D9206	Ozone gas processor 臭氧瓦斯处理器	是将由光化学洗涤装置之紫外线照射所产生有害臭氧，不致排出装置外而加以无害处理之装置。
D9206	Ozone removal equipment 臭气去除装置	是将由光化学洗涤装置之紫外线照射所产生有害臭氧，不致排出装置外而加以无害处理之装置。

9．3 干燥装置用语

编号	用语（英文/中文）	用语说明
D9301	Drying equipment 干燥设备	是将湿式洗涤后之晶圆，去除水分至干燥状态之装置。
D9302	Centrifugal drying equipment 离心干燥设备	是指利用由高速旋转之离心力，将水分加以甩掉，使之迅速加以干燥之装置。将装置内部分装可喷射洗涤功能者，特别称为冲洗干燥机（rinser dryer）。近来为除去晶圆与输送匣盒内之晶圆片数差，而自动调节重锤位置，亦有可防止因旋转振动而产生碎屑（chipping）者。此一型干燥机亦可称为自旋干燥机。
D9302	Spin dryer 自旋干燥机
D9303	Vapor drying equipment 蒸汽干燥设备	是将水气化潜热较少之有机溶媒加以置换后，利用有机溶媒之蒸汽，来加热使之干燥之装置。
D9304	Hot air（gas）drying equipment 热空气干燥设备	是将热空气或氮气吹上去,使水气蒸发干燥之装置.
D9305	Pull up drying equipment 上拉干燥设备	是从60C前后之温超纯水中,将晶圆以1mm/s程度之定速,上拉加以干燥之装置.晶圆与设备接触部间之水滴去除,需要下一番功夫.
D9305	Capillary drying equpment 毛细管作用干燥设备
D9306	Vacuum drying equipment 真空干干燥设备	是将干燥室抽真空至大气压以下,提高沾有溶媒洗涤物之蒸发速度,将不宜在较高温度干燥之多孔质物体,或复杂之装配对象等加以干燥之装置.
D9307	IPA vapor drying 异丙醇(IPA)蒸汽干燥	是将硅晶圆放置与异丙醇(isopropyl alcohol,简称IPA)之加热蒸汽中，边以凝缩IPA将附着水加以置换，边将晶圆升温至蒸气温度，而加以干燥之方法。此法可得无污染之干燥，又可收到晶圆之除电效果。对于使用IPA之水分管理，及针对可燃性安全对测策，至为重要。另一方面，以不可燃混合溶液过氟化碳(perfluorocarbon)及三氟化乙醇(trifluoroethanol)替代IPA之方法，亦获得实用化。
D9308	Water mark 水痕	是指残留或附着在被洗涤干燥之洗涤物表面之水滴,所生成之斑点.
D9310	Cradle frame 旋转速度建立时间	是指有关离心干燥机,达到被设定旋转速度所需要之时间.
D9311	Automatic fire extinguisher 自动灭火器自动消火装置	是指当设备发生火灾时，由被检测器之指令，喷射灭火药剂迅速将火灾加以扑灭之装置。即使万一着火，为防止延烧有加以设置之必要。
D9312	Single cassette rotor 单个套装匣转子	是指离心干燥机在中心部收纳有一个大型套装匣之转子。
D9313	Non fammable solvent vapor drying 不可能溶剂蒸汽干燥	是指将C6-C8 perfluorocarbon、trifluoroethanol之混合溶媒，作为fluoro 113·ethanol混合溶媒之代替品，加以使用之不可燃溶媒蒸汽干燥。
编号	用语（英文/中文）	用语说明
D9314	Flame sensor 火焰传感器	是指可感测从火焰放射出来之紫外线，而产生信号之光传感器。此一型传感器较利用感测热或红外线之火焰传感器，灵敏度较高。
D9315	Multi cassette rotor 多个套装匣转子	是指可收纳多数个套装匣之离心干燥机转子。
D9316	Rotor turn table 转子转盘	系指收纳有离心干燥机的套装匣，由离心力将水甩掉的旋转部。
D9317	Marangoni drying 马兰葛尼干燥	系指将晶圆以适当速度，边从冲洗槽上拉，边以含有氮气的异丙醇（IPA）蒸汽，在室温加以吹干的方法。上拉的晶圆正要离开水面时，水表面结构部（气液接口与晶圆面间的交叉部所形成的弯曲部）受到（IPA）的溶解，表面张力会下降，是利用马兰葛尼效应使晶圆不至于沾水。此一干燥法IPA消耗量较少。又有不留下水痕的特点。

D．10 化学机械式抛光（CMP）用语

编号	用语（英文/中文）	用语说明
D10001	Chemical mechanical polishing 化学机械研磨	所谓化学机械研磨CMP是平坦化技术之一种，将随着装置多层化所产生凹凸面，使用化学研磨剂及亲垫，加以磨削成平坦化之方法。
D10002	grazing 衬垫表面剥落	是指衬垫(pad)表面磨损剥落谓之。一般而言，衬垫之研磨使研磨剂之通路减少，将对研磨之再现性有不良影响。
D10003	damascene 金属镶嵌法	对裸洞（bare hole）或布线之槽沟，经由形成薄膜进行掩埋，再经由研磨将多余之堆积部分加以去除，而进行洞穴之掩埋布线之技术。
D10004	dishing 凹状扭曲研磨	使用弹性研磨布来研磨时，不仅擬加以平坦化之凸出部分，连原本已平坦之部分，亦在研磨中被去除，而呈现盆状之凹处。
D10005	dual damascene 双道金属镶嵌法	预先对裸洞(bare hole)或年个将变布线之部分，加以形成为槽沟经由新形成薄膜进行掩埋，接着经由研磨将多余之堆积部分加以去除，将洞穴之掩埋与布线同时形成之技术。
D10006	thining down 变薄，变细	是指当将绝缘物加以研磨时，因部分之研磨速度，比绝缘之研磨速度为快，因而图案全部比理想之终点面快，因而图案全部比理想之终点面被研磨变薄之谓。